[发明专利]半导体图形化工艺仿真模型中形貌缺陷确定方法及装置在审
| 申请号： | 202310334555.9 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116402778A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 邵花;韦亚一;陈睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/13;G06T5/00;G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体图形化工艺仿真模型中形貌缺陷确定方法及装置，涉及半导体器件图形化工艺仿真领域。方法包括：基于所述轮廓位点速率确定所述初始衬底结构数据中对应的多个位点和对应的缺陷结构的位置关系；在所述位点处于所述缺陷结构内部的情况下，对所述位点的表面轮廓位点速率进行修正，得到对应的修正后的目标表面轮廓位点速率，完成对所述工艺仿真模型的修正；将当前衬底结构数据输入至修正后的所述工艺仿真模型，输出对应的形貌缺陷预测结果，可以对工艺过程中任意衬底结构上的形貌缺陷进行仿真预测，判断在新的结构衬底上是否会发生缺陷，以及形成的缺陷形貌如何，从而帮助工艺开发，规避衬底结构设计缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图形 化工 仿真 模型 形貌 缺陷 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
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