[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211139786.6 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115424994A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L25/18;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;蒋雅洁 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：中介基板和位于所述中介基板上方的至少一个芯片堆叠结构；所述芯片堆叠结构包括第一区域和第二区域，所述芯片堆叠结构的第一区域覆盖所述中介基板的上表面，所述芯片堆叠结构的第二区域位于所述中介基板的上方且沿平行于所述中介基板上表面的方向相对于所述中介基板的侧壁向外突出；散热部件，包括第一子部，所述第一子部位于所述芯片堆叠结构的所述第二区域的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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