[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

说明书

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：中介基板和位于所述中介基板上方的至少一个芯片堆叠结构；所述芯片堆叠结构包括第一区域和第二区域，所述芯片堆叠结构的第一区域覆盖所述中介基板的上表面，所述芯片堆叠结构的第二区域位于所述中介基板的上方且沿平行于所述中介基板上表面的方向相对于所述中介基板的侧壁向外突出；散热部件，包括第一子部，所述第一子部位于所述芯片堆叠结构的所述第二区域的下方。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及了一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

半导体结构，例如包括逻辑芯片和高带宽存储器(HBM)的半导体封装件，所述半导体封装件通常包括中介基板，以及安装在中介基板上的逻辑芯片和芯片堆叠结构。

然而，由于中介基板的尺寸较大导致其制造成本高、成品率低，且中介基板的容易产生缺陷、翘曲等缺点，此外，半导体结构的散热成为问题。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体结构，包括:

中介基板和位于所述中介基板上方的至少一个芯片堆叠结构；

所述芯片堆叠结构包括第一区域和第二区域，所述芯片堆叠结构的第一区域覆盖所述中介基板的上表面，所述芯片堆叠结构的第二区域位于所述中介基板的上方且沿平行于所述中介基板上表面的方向相对于所述中介基板的侧壁向外突出；

散热部件，包括第一子部，所述第一子部位于所述芯片堆叠结构的所述第二区域的下方。

在一些实施例中，所述芯片堆叠结构的所述第一区域的宽度与所述第二区域的宽度的比值小于2。

在一些实施例中，所述散热部件还包括第二子部，所述第二子部与所述第一子部连接并沿竖直方向延伸，所述第二子部围设于所述芯片堆叠结构的侧面。

在一些实施例中，所述散热部件还包括第三子部，所述第三子部与所述第二子部连接并覆盖所述芯片堆叠结构的上表面。

在一些实施例中，所述芯片堆叠结构包括：第一芯片，所述第一芯片内包括端口物理层和数据访问层，所述端口物理层和所述数据访问层设置于所述第一区域；至少一个第二芯片，堆叠在所述第一芯片上；导电凸块，位于所述第一芯片的下表面并设置于所述第一区域，所述端口物理层和所述数据访问层与所述导电凸块电连接，所述导电凸块用于与所述中介基板电连接。

在一些实施例中，所述芯片堆叠结构的数量为多个，多个所述芯片堆叠结构包括至少一个第一芯片堆叠结构和至少一个第二芯片堆叠结构，所述第一芯片堆叠结构和所述第二芯片堆叠结构分别设置于所述中介基板相对的两侧；其中，所述第一芯片堆叠结构的所述第一区域和所述第二芯片堆叠结构的所述第一区域均位于所述第一芯片堆叠结构的所述第二区域和所述第二芯片堆叠结构的所述第二区域之间。

在一些实施例中，所述半导体结构还包括：逻辑芯片，所述逻辑芯片位于所述第一芯片堆叠结构和所述第二芯片堆叠结构之间，且固定于所述中介基板上。

在一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述中介基板上的密封层，所述密封层包覆所述芯片堆叠结构和所述逻辑芯片，并填充所述芯片堆叠结构、所述逻辑芯片和所述中介基板之间的空隙。

本公开实施例还提供一种半导体结构的制造方法，包括：

提供中介基板；

形成至少一个芯片堆叠结构，所述芯片堆叠结构包括第一区域和第二区域；

将所述芯片堆叠结构固定于所述中介基板上，所述芯片堆叠结构的所述第一区域覆盖所述中介基板的上表面，所述第二区域位于所述中介基板的上方且沿平行于所述中介基板上表面的方向相对于所述中介基板的侧壁向外突出；