[发明专利]半导体结构、测试结构、制备方法及测试方法在审
| 申请号： | 202210563778.8 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115148706A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;邵光速;蒋懿;苏星松;邱云松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/66 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，包括衬底，其包括沿第一方向由第一沟槽间隔排布的多个立柱，各立柱沿第二方向的相对两侧形成有第二沟槽，相邻第二沟槽正下方的衬底内形成有沿第二方向延伸的目标导电结构，第一沟槽内及第二沟槽内依次叠置有第一介质层、导电层及第二介质层；第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；所述第一方向与所述第二方向相交，上述半导体结构中，通过设置导电层以形成字线结构，使字线结构连成一个整体，并通过第一介质层与第二介质层进行固定，使字线结构更加稳固，不易受损，且在测电性时仅需要选取任意一个测量点就可以完成所有字线结构的测量任务，极大的方便了测量半导体结构的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 测试 制备 方法 | ||
【主权项】：
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