[发明专利]半导体组件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210169751.0 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114628363A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/16;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体组件及其形成方法。一种半导体组件包括：重布线结构；集成电路封装，贴合到重布线结构的第一侧；以及芯体衬底，利用第一导电连接件及第二导电连接件耦合到重布线结构的第二侧。第二侧与第一侧相对。半导体组件还包括：包含介电材料的芯体衬底的顶部层以及设置在重布线结构与芯体衬底之间的芯片。芯片夹置在介电材料的侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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