[发明专利]半导体组件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体组件，包括：

重布线结构；

集成电路封装，贴合到所述重布线结构的第一侧；

芯体衬底，利用第一导电连接件及第二导电连接件耦合到所述重布线结构的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述芯体衬底的顶部层包含介电材料；以及

芯片，设置在所述重布线结构与所述芯体衬底之间，所述芯片夹置在所述介电材料的侧壁之间。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括：

介电层，位于所述重布线结构的所述第二侧上；以及

第一通孔、第二通孔及第三通孔，延伸穿过所述介电层。

3.根据权利要求2所述的半导体组件，其中所述芯片实体耦合及电耦合到所述第一通孔。

4.根据权利要求2所述的半导体组件，还包括：

第一凸块下金属，位于所述介电层上，所述第一凸块下金属实体耦合及电耦合到所述第二通孔，所述第一导电连接件实体耦合及电耦合到所述第一凸块下金属；以及

第二凸块下金属，位于所述介电层上，所述第二凸块下金属实体耦合及电耦合到所述第三通孔，所述第二导电连接件实体耦合及电耦合到所述第二凸块下金属。

5.根据权利要求2所述的半导体组件，其中在所述芯体衬底与所述介电层的相对的表面之间测量的距离介于147μm到500μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括包封体，所述包封体覆盖所述芯体衬底的侧壁、所述芯片的侧壁、以及与所述重布线结构相对的所述芯片的底表面。

7.一种半导体组件，包括：

第一通孔及第二通孔，从重布线结构的第一侧延伸，凸块下金属与所述重布线结构相对地位于所述第二通孔上；

电压调节器，实体耦合及电耦合到所述第一通孔；

集成电路封装，通过所述重布线结构耦合到所述电压调节器，所述集成电路封装位于所述重布线结构的与所述第一侧相对的第二侧上；以及

芯体衬底，利用导电连接件贴合到所述凸块下金属，所述芯体衬底上的介电材料夹置在所述导电连接件与所述电压调节器之间。

8.根据权利要求7所述的半导体组件，还包括底部填充胶，所述底部填充胶夹置在所述电压调节器与所述重布线结构之间。

9.一种形成半导体组件的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成重布线结构；

将芯片贴合到所述重布线结构的第一侧；

在芯体衬底中形成开口；

将所述芯体衬底贴合到所述重布线结构的所述第一侧，所述芯片夹置在所述开口的侧壁之间；

利用包封体包封所述芯体衬底，其中所述包封体沿着所述芯体衬底的侧壁延伸，其中所述包封体进一步包封所述芯片；

从所述第一衬底移除所述重布线结构；以及

将集成电路封装贴合到所述重布线结构的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述重布线结构上安装保护环，所述保护环围绕所述集成电路封装。