[发明专利]半导体基板及其制造方法、制造装置、电子部件以及电子设备在审

专利信息
申请号: 202180087388.1 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN116802349A 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 神川刚;正木克明;林雄一郎;小林敏洋 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: C30B25/04 分类号: C30B25/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有:第一部分,其位于掩模部上;第二部分,位于开口部上,并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。
搜索关键词: 半导体 及其 制造 方法 装置 电子 部件 以及 电子设备
【主权项】:
暂无信息
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