[发明专利]半导体基板及其制造方法、制造装置、电子部件以及电子设备在审
申请号: | 202180087388.1 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN116802349A | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 神川刚;正木克明;林雄一郎;小林敏洋 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C30B25/04 | 分类号: | C30B25/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有:第一部分,其位于掩模部上;第二部分,位于开口部上,并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体 及其 制造 方法 装置 电子 部件 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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