[发明专利]单晶纳米线阵列的合成方法有效
| 申请号： | 201010536975.8 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101985774A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;宫勇吉;余捷峰;黄斌;尚鉴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/04 | 分类号： | C30B25/04;C30B29/62 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种合成单晶纳米线阵列的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法首先选择蒸汽压的前驱体，然后结合模板，采用气相沉积的方法，利用生长环境中的水蒸气或者其它具有湿度的载气完成反应，最终生长得到纳米线沉积到模板的孔道中，形成单晶纳米线阵列。本发明所制备的材料具有长度可调，直径可调，可以得到品质优良的单晶等诸多优点，解决了以往纳米线合成中易于被污染，长度、直径不可控，晶体质量差，所得纳米线产量稀少以及实验重复性差等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶纳米线阵列的合成方法，其步骤包括：A.制备模板；B.在瓷舟中放入前驱体和模板；C.将瓷舟放入化学气相沉积装置的石英管或马弗炉中；D.以5‑50℃/min的升温速度升至300‑800℃，在此温度下维持0.5‑30小时；E.待温度自然冷却，去除模板，得到单晶纳米线阵列。
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