[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111361247.2 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114121856A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 游济阳;何冠霖;陈衿良;梁裕民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接；以及第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，其中所述第二导电柱的高度为基本上大于所述第一导电柱的高度，且所述第一裸片的厚度为基本上大于所述第二裸片的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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