[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底，包含延伸通过所述衬底的多个通孔；

重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；

第一导电柱，放置在所述导电件中的一者上方且与其电连接；

第二导电柱，放置在所述导电件中的一者上方且与其电连接；

第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接，具有第一厚度；

第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，具有与所述第一厚度不同的第二厚度，其中所述第一裸片的无源侧和第二裸片的无源侧水平对准；以及

第一导电凸块，放置在所述第二裸片与所述第二导电柱之间，且电连接所述第一裸片与所述第一导电柱，其中所述第一导电凸块与所述RDL之间的第一距离大于第一导电凸块与所第二裸片之间的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：

第二导电凸块，放置在所述第一裸片与所述第一导电柱之间，且电连接所述第一裸片与所述第一导电柱，其中所述第一距离大于所述第二导电凸块与所述RDL之间的第三距离。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一距离与所述第三距离之间的差异和所述第一厚度与所述第二厚度之间的差异对应。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二裸片包括面向所述RDL的第一侧，且所述第一导电凸块与所述第一侧之间的所述第二距离小于所述第一导电凸块与所述RDL的所述介电层的顶面的所述第一距离。

5.一种半导体结构，其包括：

衬底，包含延伸通过所述衬底的多个通孔；

重布线层RDL，其包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；

第一导电柱，放置在所述导电件中的一者上方且与其电连接；

第二导电柱，放置在所述导电件中的一者上方且与其电连接；

第一裸片，其放置在所述衬底上方，包含面对所述RDL的第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；

第二裸片，其放置在所述衬底上方，包含面对所述RDL的第三侧及与所述第三侧相对的第四侧，其中所述第二裸片的所述第四侧与所述第一裸片的所述第二侧水平对准；

第一导电凸块，放置在所述第一裸片与所述第一导电柱之间，电连接所述第一裸片与所述第一导电柱，且对应所述多个导电件中的第一导电件；以及

第二导电凸块，放置在所述第二裸片与所述第二导电柱之间，电连接所述第二裸片与所述第二导电柱，且对应所述多个导电件中的第二导电件，

其中所述第一导电柱自所述第一导电凸块的底面至所述第一导电件的顶面的第一高度小于所述第二导电柱自所述第二导电凸块的底面至所述第二导电件的顶面的第二高度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一裸片的所述第一侧与所述RDL之间的第一距离小于所述第二裸片的所述第三侧与所述RDL之间的第二距离。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述第一高度与所述第二高度之间的差异基本上和所述第一距离与所述第二距离之间的差异相同。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其进一步包括：

模制件，放置在所述RDL上方且与所述RDL分离，其中所述模制件环绕所述第一裸片的侧壁及所述第二裸片的侧壁，且所述第一裸片的所述第二侧与所述第二裸片的第四侧从所述模制件暴露出。