[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111187798.1 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115966551A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 毛乾君;费春潮;王亚平;朱雅莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/00;H01L21/768;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞;唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的顶层金属层，所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区，所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层；位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的焊垫结构。由于所述应力集中区为整体结构，对传递至所述应力集中区上的应力分散的较为均匀，不会产生较大的应力差，能够有效降低与所述应力集中区所接触的膜层发生断裂损伤的问题，以此提升最终形成的半导体结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111187798.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离合器液压系统的压力补偿方法及装置
- 下一篇：一种化油器
