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[实用新型]一种探针卡及晶圆测试装置-CN202321357722.3有效
发明人：祝垚伟;李飞;费春潮;曹晓娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本申请提供一种探针卡及晶圆测试装置，所述探针卡包括：基板；探针头，设置于所述基板的工作面，所述探针头中设置有至少一个加热装置；若干探针，设置于所述探针头的工作面，所述至少一个加热装置被配置为加热所述若干探针至第一设定温度。本申请提供一种探针卡及晶圆测试装置，探针卡中设置有可以加热探针的加热装置，可以避免探针卡上不同位置的探针受热不均匀导致针痕偏移超出铝垫，可以提高测试效率和成功率，提高晶圆良率和可靠性。
一种探针测试装置

[实用新型]一种晶圆测试装置-CN202320717249.9有效
发明人：张泽栋;戴吟洁;陈樑;李飞;费春潮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆测试装置，所述晶圆测试装置包括：承载台，用于承载晶圆；晶圆夹具，所述晶圆夹具的工作面与所述晶圆的边缘匹配使得所述晶圆夹具工作时所述晶圆夹具的工作面和所述晶圆的边缘贴合并且所述晶圆夹具的上表面和所述晶圆的上表面共面。本申请提供一种晶圆测试装置，利用晶圆夹具与晶圆边缘的弧形倒角贴合，避免测试探针扎在弧形倒角上弯曲，可以避免探针卡在测试过程中损坏，并提高晶圆测试效率。
一种测试装置

[发明专利]承载装置、晶圆测试设备以及晶圆测试方法-CN202210169367.0在审
发明人：李飞;张泽栋;费春潮;郑文娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种承载装置、晶圆测试设备以及晶圆测试方法，承载装置包括：主加热平台，用于承载待测晶圆并对所述待测晶圆进行加热；环形的副加热平台，环绕所述主加热平台，用于与所述主加热平台顶面围成放置所述待测晶圆的容纳空间。降低了所述探针因受热不均匀而产生针痕偏移的风险，有利于提高晶圆测试的可靠性，并降低因晶圆表面破损而产生良率损失和可靠性风险的概率；同时，在对待测晶圆进行高温测试的过程中，由于所述探针卡上的各探针受热均匀，在测试过程中，省去了对所述探针卡进行预热的步骤，提高了生产效率，降低了测试成本。
承载装置测试设备以及方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及晶圆切割方法-CN202210094030.8在审
发明人：黄婷婷;王亚平;费春潮;朱雅莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，以及晶圆切割方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括切割道区，在所述切割道区中，所述基底顶部形成有互连结构，且最顶层的互连结构为顶部互连结构；在所述顶部互连结构的顶部形成多个分立的缓冲互连结构，多个所述缓冲互连结构沿相对应顶部互连结构的延伸方向排布，所述缓冲互连结构与所述顶部互连结构相电连接。由于多个缓冲互连结构呈分段式，即相邻缓冲互连结构之间具有空间间隔，所述缓冲互连结构产生的拉伸应力的连续性被阻断，并且产生的拉伸应力较小，降低了所述缓冲互连结构与切割道区周围的各个膜层结构(例如：密封环)相短接的概率，从而提高了所述半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法以及切割

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111264284.1在审
发明人：柏新星;王亚平;费春潮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括切割道区；位于基底上的器件层，所述器件层包括若干器件、与所述器件电连接的互连结构、以及包围所述器件和互连结构的介电层；位于器件层上的钝化层；位于切割道区上的钝化层内的对准标记，所述对准标记由2个以上的子对准标记构成，所述2个以上子对准标记沿所述切割道区的延伸方向排列，并且，相邻子对准标记之间间隔。所述半导体结构的可靠性好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111187798.1在审
发明人：毛乾君;费春潮;王亚平;朱雅莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的顶层金属层，所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区，所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽；位于所述沟槽内的绝缘层；位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的焊垫结构。由于所述应力集中区为整体结构，对传递至所述应力集中区上的应力分散的较为均匀，不会产生较大的应力差，能够有效降低与所述应力集中区所接触的膜层发生断裂损伤的问题，以此提升最终形成的半导体结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶圆切割方法-CN202110577818.X在审
发明人：叶华;费春潮;王亚平;柏新星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆切割方法，包括：提供待切割晶圆，所述待切割晶圆上形成有切割道；在所述切割道表面涂布止裂剂；沿涂布有止裂剂的切割道进行切割，形成晶粒；使所述止裂剂完全固化。本申请技术方案的晶圆切割方法可以防止物理刀片切割后晶粒的裂纹扩大。
切割方法

[发明专利]一种打线工艺校准方法-CN202110579423.3在审
发明人：毛乾君;王亚平;叶华;费春潮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种打线工艺校准方法，所述方法包括：提供陶瓷管，所述陶瓷管包括：贯穿孔，所述贯穿孔与打线设备的劈刀适配；打火杆，设置在所述陶瓷管内并且垂直所述贯穿孔；在所述贯穿孔的一端设置可拆卸的阻挡件；使所述劈刀沿所述贯穿孔到达所述阻挡件，标记所述阻挡件位置；调整所述劈刀位置，使所述劈刀端部与打火杆位置水平；拆除所述阻挡件。本申请所述的一种打线工艺校准方法，为陶瓷管的贯穿孔设置阻挡件，以所述阻挡件的位置作为参考界面来调整劈刀位置，使劈刀端部和打火杆水平，可以提高烧球高度的精度，避免打线时对焊垫的损伤，从而提高器件可靠性。
一种工艺校准方法

[发明专利]晶圆切割道内连线结构-CN202110579437.5在审
发明人：朱雅莉;王亚平;费春潮;柏新星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种晶圆切割道内连线结构，所述晶圆切割道包括非激光切割区和位于所述非激光切割区两侧的激光切割区，所述连线结构包括：顶层引线层，位于所述非激光切割区的主体部分；顶层导电层，位于所述激光切割区及所述顶层引线层两侧的非激光切割区；衬垫层，位于所述顶层引线层和所述顶层导电层上方的非激光切割区和激光切割区，其中所述顶层引线层与所述衬垫层直接连接，所述顶层导电层与所述衬垫层之间还包括第一钝化层。本申请技术方案的晶圆切割道内连线结构可以在不影响DED的发生概率和严重程度的情况下，显著提升WAT电性能。
切割连线结构

[发明专利]晶圆的切割设备及方法-CN202110469085.8在审
发明人：柏新星;王亚平;朱雅莉;费春潮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种晶圆的切割设备及方法，其中切割方法包括：将所述晶圆装载于工作台上；在所述工作台上，采用激光切割工艺对所述晶圆进行第一切割，在所述晶圆内形成若干条预切口；在所述激光切割工艺之后，在所述工作台上，采用机械切割工艺对所述预切口进行第二切割，直至贯穿所述晶圆为止。通过在所述工作台上完成激光切割和机械切割，有效减小了晶圆切割过程中的重复步骤，提高了切割效率。另外，在晶圆切割的过程中，无需进行晶圆的转移，减少了晶圆的金属层暴露在空气中的时间，进而降低了因金属层氧化所形成的副产物对机械切割工艺所带来的影响。同时也能够避免晶圆因在真空固定环境下的突然释放而产生的形变，进而提升了机械切割工艺的精准度。
切割设备方法

[实用新型]一种封装打线设备上使用的工具-CN202221264146.3有效
发明人：毛乾君;费春潮;王亚平;叶华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种封装打线设备上使用的工具，所述工具包括：加热板，用于在封装打线时承载并加热框架小岛和第二管脚，所述框架小岛用于贴合待封装芯片，所述第二管脚直接与所述框架小岛连接，其中，所述加热板中用于承载所述框架小岛的区域在所述第二管脚相对一侧的表面与所述加热板的底面呈一定坡度，所述第二管脚受到向下的压力时，所述第二管脚相对一侧的框架小岛表面受到朝向所述加热板的力，使所述框架小岛贴合在所述加热板表面。所述工具在打线工艺中，控制所述框架小岛不晃动，从而避免打线制程不稳定导致的虚焊或弹坑等打线问题。
一种封装设备使用工具

[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构-CN201710363969.9有效
发明人：陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法、一种半导体芯片、一种封装方法及一种封装结构，通过在第二钝化层中形成第三开口，以提高所述第二钝化层的粗糙度。因此在填充所述半导体芯片与布线基板之间的空隙时，增强了填充介质与所述半导体芯片的粘合度，从而使形成的封装结构更加稳定，性能更加优良。
半导体结构形成方法芯片封装

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN201611198710.5有效
发明人：金立中;陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基底，所述基底包括焊垫主体区和位于焊垫主体区周围的凹槽区，所述凹槽区和焊垫主体区邻接；主体焊垫，位于焊垫主体区基底上；键合导电线，所述键合导电线的一端与所述主体焊垫连接。所述封装结构能够避免主体焊垫和周围器件发生短路。
封装结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201610979493.7有效
发明人：陆水华;费春潮;陆丽辉;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供封装衬底，所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域；至少蚀刻去除部分所述条状区域。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过部分蚀刻封装衬底，降低由于封装材料热膨胀系数失配造成的各个芯片预封装区域之间的热应力影响，避免造成翘曲，从而保证半导体器件的性能稳定，提高生产效率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]半导体测试单元及半导体测试结构-CN201610620291.3有效
发明人： 费春潮;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体测试单元及半导体测试结构，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角。本发明通过在焊垫及位于其下方的金属层上设置倒角，可以在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移，使其远离了芯片保护结构及芯片，降低了芯片边缘分层发生的概率或严重程度，从而提高了产品的可靠性。
金属层焊垫半导体测试倒角半导体测试结构顶层金属层起始点位置沟道工艺芯片保护芯片边缘依次层叠中心偏移切割道微裂纹微损伤分层激光芯片概率

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