[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的顶层金属层，所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区，所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽；

位于所述沟槽内的绝缘层；

位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的焊垫结构。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述应力集中区呈环形或圆形。

3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述焊垫结构的厚度为0.1微米～5微米。

4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述焊垫结构的材料包括：铝、铜或硅。

5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，相邻的所述沟槽之间的间距为0.001微米～1000微米。

6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述焊垫结构上的键合金属线，所述应力集中区在所述衬底上的投影位于所述键合金属线在所述衬底上的投影范围内。

7.如权利要求6所述半导体结构，其特征在于，所述键合金属线的材料包括：金、银、铜、钯铜、金钯铜或银合金。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、low-K的氧化硅或氮化硅。

9.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述顶层金属层的材料包括：铜或铝。

10.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述顶层金属层和所述绝缘层上的阻挡层；所述焊垫结构位于所述阻挡层上。

11.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：钛、钽、氮化钛和氮化钽中的一种或多种。

12.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层内具有器件结构、以及连接所述器件结构的电互连层；所述顶层金属层与所述电互连层电连接。

13.如权利要求12所述半导体结构，其特征在于，所述器件结构包括：晶体管结构、电容结构、电阻结构和电感结构中的一种或多种。

14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成顶层金属层，所述顶层金属层包括应力集中区和非应力集中区，所述非应力集中区内具有若干平行于第一方向的沟槽；

在所述沟槽内形成绝缘层；

在所述顶层金属层和所述绝缘层上形成焊垫结构。

15.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述应力集中区呈环形或圆形。

16.如权利要求14所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述顶层金属层和所述绝缘层上形成焊垫结构之后，还包括：采用打线工艺在所述焊垫结构表面形成键合金属线。

17.如权利要求16所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用打线工艺在所述焊垫结构表面形成键合金属线的方法包括：在所述焊垫结构表面形成初始键合金属线；采用劈刀对所述初始键合金属线进行加压，以使所述初始键合金属线形成所述键合金属线，且所述劈刀在所述初始键合金属线上的加压区域在所述衬底上的投影位于所述应力集中区在所述衬底上的投影范围内。