[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110799923.8 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN114188303A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有倾斜导电层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，设置在该基底上的一第一绝缘层，设置在该第一绝缘层中的一第一倾斜导电层，以及设置以覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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