[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一第一绝缘层，设置在该基底上；

一第一倾斜导电层，设置在该第一绝缘层中；以及

一顶部导电层，设置以覆盖该第一倾斜导电层。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中在该第一倾斜导电层的一底面与该第一倾斜导电层的一侧壁之间的一锐角，其角度在大约10度到大约85度的范围内。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一倾斜导电层在一顶视图中以一网格点状图案排列。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一倾斜导电层在一顶视图中以一对角点状图案排列。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该顶部导电层是一导线，且该顶部导电层的制作技术包含铜、铝、钛、钨、或其组合。

6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一阻挡层，设置在该第一绝缘层与该第一倾斜导电层之间、该顶部导电层与该第一绝缘层之间，以及该第一倾斜导电层与该基底之间，其中该阻挡层的制作技术包含钛、氮化钛、氮化钛硅、钽、氮化钽、氮化硅钽，或其组合。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该阻挡层的一厚度在大约10埃到大约15埃的范围内。

8.如权利要求2所述的半导体元件，其中该顶部导电层是一焊料单元，且其制作技术包含锡、银、铜、金、合金或其组合。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一凸块下金属化层，设置在该第一绝缘层与第一倾斜导电层之间、该顶部导电层与该第一绝缘层之间、以及该第一倾斜导电层与该基底之间，其中该凸块下金属化层包括钛、钛-钨、铬、铝、铜、镍、铬-铜、或镍-钒。

10.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第二倾斜导电层，设置在该第一绝缘层中，其中该顶部导电层经设置以覆盖该第一倾斜导电层以及该第二倾斜导电层。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中一锐角在该第二倾斜导电层的一底面与该第二倾斜导电层的一侧壁之间，其角度在大约负10度到约负85度的范围内。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一倾斜导电层沿一第一方向延伸，该第二倾斜导电层沿一第二方向延伸，并且该第二方向与该第一方向不同。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第一倾斜导电层以及该第二倾斜导电层在一顶视图中沿一第一轴以及一第二轴交替排列，并且该第一轴与该第二轴相互垂直。

14.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第一倾斜导电层沿一第一组的列排列，该第二倾斜导电层沿一第二组的列排列，并且该第一组的列与该第二组的列交替排列。

15.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

在该基底上形成一第一绝缘层；

沿该第一绝缘层形成一第一倾斜凹槽；以及

在该第一倾斜凹槽中形成一第一倾斜导电层以及覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。

16.如权利要求15所述的制备方法，其中沿该第一绝缘层形成该第一倾斜凹槽的步骤包括：

在该第一绝缘层上形成一第一硬遮罩层；

沿该第一硬遮罩层形成一第一硬遮罩开口；

对该第一绝缘层执行一第一倾斜蚀刻制程，以沿该第一绝缘层形成该第一倾斜凹槽；以及

去除该第一硬遮罩层；

其中该第一倾斜蚀刻制程使用该第一硬遮罩层做为一图案导引。