[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种具有倾斜导电层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，设置在该基底上的一第一绝缘层，设置在该第一绝缘层中的一第一倾斜导电层，以及设置以覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。

技术领域

本申请案主张2020年9月14日申请的美国正式申请案第17/020,170号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是有关于一种具有倾斜导电层的半导体元件及其制备方法。

背景技术

对于许多现代应用，半导体元件是不可或缺的。举例而言，半导体元件是广泛地运用在各种电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。再者，随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸变得越来越小，于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。然而，随着半导体元件的按比例缩小，相邻导电元件之间的间隔是逐渐缩小，其是可缩减内连接结构的制程裕度(process window)。因此，在半导体元件中制造内连接结构则越来越困难因此，在提高品质、良率、效能以及可靠性以及降低复杂性的方面仍持续存在挑战性。

上文的「先前技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「先前技术」说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的「先前技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一半导体元件，包括：一基底，设置在该基底上的一第一绝缘层，设置在该第一绝缘层中的一第一倾斜导电层，以及设置以覆盖该第一倾斜导电层的一顶部导电层。

在一些实施例中，在该第一倾斜导电层的一底面与该第一倾斜导电层的一侧壁之间的一锐角，其角度在大约10度到大约85度的范围内。

在一些实施例中，该第一倾斜导电层在一顶视图中以一网格点状图案排列。

在一些实施例中，该第一倾斜导电层在一顶视图中以一对角点状图案排列。

在一些实施例中，该顶部导电层是一导线，且该顶部导电层的制作技术包含铜、铝、钛、钨、或其组合。

在一些实施例中，该半导体元件包括一阻挡层，设置在该第一绝缘层与该第一倾斜导电层之间、该顶部导电层与该第一绝缘层之间，以及该第一倾斜导电层与该基底之间。该阻挡层的制作技术包含钛、氮化钛、氮化钛硅、钽、氮化钽、氮化硅钽，或其组合。

在一些实施例中，该阻挡层的一厚度在大约10埃(angstroms)到大约15埃的范围内。

在一些实施例中，该顶部导电层是一焊料单元，且其制作技术包含锡、银、铜、金、合金或其组合。

在一些实施例中，该半导体元件包括一凸块下金属化层，设置在该第一绝缘层与第一倾斜导电层之间、该顶部导电层与该第一绝缘层之间、以及该第一倾斜导电层与该基底之间。该凸块下金属化层包括钛、钛-钨、铬、铝、铜、镍、铬-铜、或镍-钒。

在一些实施例中，该半导体元件包括一第二倾斜导电层，设置在该第一绝缘层中，其中该顶部导电层经设置以覆盖该第一倾斜导电层以及该第二倾斜导电层。

在一些实施例中，在该第二倾斜导电层的一底面与该第二倾斜导电层的一侧壁之间的一锐角，其角度在大约负10度到约负85度的范围内。

在一些实施例中，该第一倾斜导电层沿一第一方向延伸，该第二倾斜导电层沿一第二方向延伸，并且该第二方向与该第一方向不同。

在一些实施例中，该第一倾斜导电层以及该第二倾斜导电层在一顶视图中沿一第一轴以及一第二轴交替排列，并且该第一轴与该第二轴相互垂直。

在一些实施例中，该第一倾斜导电层沿一第一组的列排列，该第二倾斜导电层沿一第二组的列排列，并且该第一组的列与该第二组的列交替排列。