[发明专利]一种半导体晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 202110749993.2 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115565979A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 汤继峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体晶体管结构，包括：形成有第一导电类型阱区的衬底，在所述衬底上设置有栅极结构；第二导电类型的源漏区，设置于所述第一导电类型阱区内,且源漏区分别位于栅极结构的两侧；在源漏区相对应的位置处开设有接触孔，所述接触孔向下延伸至第一导电类型阱区中；所述接触孔内填充有导电金属，接触孔底部有注入用于降低其接触电阻的杂质离子，所述接触孔底部与所述源漏区相接触的周边区域的杂质离子浓度低于其位于中间区域杂质离子的浓度。本申请通过在填充接触孔时，保持接触孔底部与源/漏区相接触的周边区域处的杂质离子浓度低于其中间区域杂质离子的浓度，以此来降低源漏区与阱区之间的离子浓度差，从而减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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