[发明专利]一种半导体晶体管结构及制作方法

权利要求书

1.一种半导体晶体管结构，其特征在于，包括：

形成有第一导电类型阱区(11)的衬底(1)，在所述衬底(1)上设置有栅极结构(2)；

第二导电类型的源区(3)/漏区(4)，设置于所述第一导电类型阱区(1)内,且源区(3)与漏区(4)分别位于栅极结构(2)的两侧；

在源区(3)/漏区(4)相对应的位置处开设有接触孔(111)，所述接触孔(111)向下延伸至第一导电类型阱区(11)中；

所述接触孔(111)内填充有导电金属，接触孔(111)底部有注入用于降低其接触电阻的杂质离子(5)，所述接触孔(111)底部与所述源区(3)/漏区(4)相接触的周边区域的杂质离子(5)浓度低于其位于中间区域杂质离子(5)的浓度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，在所述接触孔(111)底部与所述源区(3)/漏区(4)相接触的周边区域填充有用于中和杂质离子(5)浓度的反型离子(6)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述反型离子(6)的注射能量是15KeV,注射剂量是5e13 atom,所述反型离子(6)选自磷离子、砷离子和锑离子中的任意一种。

4.根据权1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于,所述杂质离子(5)的注射能量是2～3KeV,注射剂量是8E14～1E15 atom,所述杂质离子(5)选自硼离子、铝离子和铟离子中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，

所述第一导电类型阱区(11)为N型掺杂，掺杂离子选自磷离和砷离子和锑离子中的任意一种；

所述第二导电类型的源区(3)/漏区(4)为P型掺杂，掺杂离子选自硼离子、铝离子和铟离子中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述接触孔(111)的导电金属包括金属硅化物(7)和金属材料(8)。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述金属材料(8)包括钨、铝、钼。

8.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述接触孔(111)向下延伸的深度是20-50nm。

9.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构(2)包括依次叠加设置于第一导电类型阱区(11)上的介质层(21)、多晶硅导电层(22)、绝缘氮化硅层(23)以及氧化硅层(24)。

10.一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供形成有第一导电类型阱区(11)的衬底(1)；

在所述第一导电类型阱区(11)表面区域形成栅极结构(2)；

在所述栅极结构(2)两侧的所述第一导电类型阱区(11)内分别形成第二导电类型的源区(3)/漏区(4)；

在所述源区(3)/漏区(4)处分别形成接触孔(111)；

在所述接触孔(111)底部的中间区域形成具有杂质离子(5)的高浓度区，在所述接触孔(111)底部与所述源区(3)/漏区(4)相接触的周边区域形成具有杂质离子(5)的低浓度区；

在所述接触孔(111)内沉积导电层，形成导电接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述接触孔(111)的中间区域形成具有杂质离子(5)的高浓度区包括：

往接触孔(111)内垂直注入杂质离子(5)，使其填充接触孔(111)底部区域，再通过RTP激活，使其通过接触孔(111)底部向源区(3)/漏区(4)扩散。