[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110442616.4 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113161319B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张丽霞;刘杰;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底；第一器件，位于基底上；第一接合柱，位于第一器件外周的基底上，且与基底电连接；引线，引线的一端与第一器件电连接形成第一键合点，引线的另一端与第一接合柱电连接形成第二键合点，在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点。本发明实施例有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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