[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一器件，位于所述基底上；

第一接合柱，位于所述第一器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接，其中，所述第一接合柱远离所述基底的一侧形成有凹槽；

接合剂，所述接合剂填充满所述凹槽；

引线，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点，且所述第二键合点在所述基底上的正投影覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影；

采用所述引线连接所述第一接合柱和所述第一器件的步骤包括：

在所述第一接合柱上形成凹槽；

在所述凹槽中填充接合剂；

将所述引线的一端键合在所述第一器件上，将所述引线的另一端键合在所述第一接合柱顶面和所述接合剂顶面上，通过所述接合剂优良的粘接效果，提高所述第二键合点与所述第一接合柱之间的连接强度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有暴露在所述基底表面的接合垫，所述第一接合柱与所述接合垫电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件在远离所述基底的表面上设有暴露的焊垫，所述焊垫与所述引线键合形成所述第一键合点。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合点包括楔形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿平行于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面与所述焊垫底顶面齐平。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合点包括球形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿垂直于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面高于所述焊垫底顶面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引线包括引线颈部，所述引线颈部位于所述引线沿所述第一键合点向上延伸的折弯处，所述第一接合柱和所述第一器件之间具有间隔，所述引线颈部位于所述间隔中。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层填充所述间隔，且覆盖所述引线颈部。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第二器件，所述第二器件位于所述第一器件远离所述基底的一侧；

第二接合柱，所述第二接合柱位于所述第二器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接，与所述第一接合柱相互间隔；

接合线，所述接合线的一端与所述第二接合柱电连接，所述接合线的另一端与所述第二器件电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接合柱、所述引线和所述第一器件围成的区域在所述基底上的正投影为第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影，且所述第二接合柱在所述基底上的正投影为第三投影，所述第三投影位于所述第一投影之外；

半导体结构还包括：密封层，所述密封层覆盖所述第二器件、所述第二接合柱以及所述接合线。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二器件包括多个芯片堆叠的封装体，且多个所述芯片沿所述基底指向所述第一器件的方向依次堆叠设置。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片具有暴露在所述芯片远离所述基底表面的焊盘，不同所述芯片的至少一个所述焊盘与同一所述第二接合柱通过所述接合线电连接。