[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110291509.6 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113113384B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李森;夏军;占康澍;刘涛;宛强;徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；位线，位线位于衬底上；支撑层，支撑层位于衬底上，支撑层包括第一支撑段和第二支撑段，第一支撑段和第二支撑段均与位线相连接，且位线位于第一支撑段和第二支撑段之间，使得支撑层实现了对位线的支撑，从而可以避免位线出现坍塌的问题，以此改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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