[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位线，所述位线位于所述衬底上，所述位线为多个，多个所述位线沿垂直于所述位线延伸方向的方向间隔设置；

支撑层，所述支撑层位于所述衬底上，所述支撑层包括第一支撑段和第二支撑段，所述第一支撑段和所述第二支撑段均与所述位线相连接，且所述位线位于所述第一支撑段和所述第二支撑段之间；

其中，所述支撑层还包括第三支撑段，所述第一支撑段、所述第二支撑段以及所述第三支撑段均为支撑段，各个所述位线均位于相邻两个所述支撑段之间；

所述支撑层为多个，多个所述支撑层沿所述位线的延伸方向间隔设置；

多个所述位线与多个所述支撑层之间形成有多个容纳空间，所述半导体结构还包括：

接触垫，所述接触垫为多个，多个所述接触垫分别位于多个所述容纳空间内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层覆盖所述位线的侧壁和所述支撑层的侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁绝缘层形成于所述位线和所述支撑层之后。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线和所述支撑层上的所述侧壁绝缘层为一体式结构。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层和所述侧壁绝缘层的材料包括碳化硅或氮化硅。

6.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，所述半导体结构的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成支撑层，所述支撑层包括第一支撑段和第二支撑段；

在所述衬底上形成位线，所述位线形成于所述第一支撑段和所述第二支撑段之间，且所述第一支撑段和所述第二支撑段均与所述位线相连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述支撑层之前，

在所述衬底上形成辅助层；

在所述辅助层上形成沟槽；

在所述沟槽内形成牺牲层；

在所述辅助层上形成开口，所述牺牲层位于相邻两个所述开口之间；

其中，所述支撑层形成于所述开口内。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除所述牺牲层，并在所述沟槽内形成所述位线的至少部分。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述辅助层包括位线接触层和介质层，所述位线接触层形成于所述衬底上，所述介质层形成于所述位线接触层上，所述沟槽暴露所述位线接触层，所述开口暴露所述衬底，形成所述位线包括：

在所述沟槽内形成阻挡层；

在所述沟槽内形成导电层，所述导电层覆盖所述阻挡层；

在所述沟槽内形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电层；

去除所述介质层，以及所述支撑层两侧的所述位线接触层，剩余的所述位线接触层作为位线接触结构；

其中，所述位线接触结构、所述阻挡层、所述导电层以及所述覆盖层作为所述位线。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽和所述开口中的至少之一采用自对准双图案化技术形成。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底上形成侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层覆盖所述位线的侧壁和所述支撑层的侧壁。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述侧壁绝缘层形成于所述位线和所述支撑层之后。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述侧壁绝缘层内形成接触垫。