[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；位线，位线位于衬底上；支撑层，支撑层位于衬底上，支撑层包括第一支撑段和第二支撑段，第一支撑段和第二支撑段均与位线相连接，且位线位于第一支撑段和第二支撑段之间，使得支撑层实现了对位线的支撑，从而可以避免位线出现坍塌的问题，以此改善半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

背景技术

在半导体结构的制作过程中，随着关键尺寸的不断降低，位线的结构稳定性较差，容易出现坍塌。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

位线，位线位于衬底上；

支撑层，支撑层位于衬底上，支撑层包括第一支撑段和第二支撑段，第一支撑段和第二支撑段均与位线相连接，且位线位于第一支撑段和第二支撑段之间。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

侧壁绝缘层，侧壁绝缘层覆盖位线的侧壁和支撑层的侧壁。

在本发明的一个实施例中，侧壁绝缘层形成于位线和支撑层之后。

在本发明的一个实施例中，位线和支撑层上的部分侧壁绝缘层为一体式结构。

在本发明的一个实施例中，支撑层和侧壁绝缘层的材料包括碳化硅或氮化硅。

在本发明的一个实施例中，位线为多个，多个位线沿垂直于位线延伸方向的方向间隔设置；

其中，支撑层还包括第三支撑段，第一支撑段、第二支撑段以及第三支撑段均为支撑段，各个位线均位于相邻两个支撑段之间。

在本发明的一个实施例中，支撑层为多个，多个支撑层沿位线的延伸方向间隔设置。

在本发明的一个实施例中，多个位线与多个支撑层之间形成有多个容纳空间，半导体结构还包括：

接触垫，接触垫为多个，多个接触垫分别位于多个容纳空间内。

根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成支撑层，支撑层包括第一支撑段和第二支撑段；

在衬底上形成位线，位线形成于第一支撑段和第二支撑段之间，且第一支撑段和第二支撑段均与位线相连接。

在本发明的一个实施例中，半导体结构的制作方法，还包括：

在形成支撑层之前，

在衬底上形成辅助层；

在辅助层上形成沟槽；

在沟槽内形成牺牲层；

在辅助层上形成开口，牺牲层位于相邻两个开口之间；

其中，支撑层形成于开口内。

在本发明的一个实施例中，去除牺牲层，并在沟槽内形成位线的至少部分。

在本发明的一个实施例中，辅助层包括位线接触层和介质层，位线接触层形成于衬底上，介质层形成于位线接触层上，沟槽暴露位线接触层，开口暴露衬底，形成位线包括：

在沟槽内形成阻挡层；

在沟槽内形成导电层，导电层覆盖阻挡层；