[发明专利]金属电极的制造方法在审
| 申请号： | 202010506105.X | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111725064A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 谭芳 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种金属电极的制造方法，该金属电极的制造方法包括：提供一衬底层；在所述衬底层上形成金属层；在所述金属层上形成具有预设图案的光阻层；对所述金属层进行第一蚀刻，以形成具有预设图案的金属层；对所述具有预设图案的金属层的侧边进行保护处理；对所述具有预设图案的光阻层进行第二蚀刻，以暴露所述具有预设图案的金属层；对所述具有预设图案的金属层进行第三蚀刻，以形成金属电极。本方案通过在形成具有预设图案的金属层后，对具有预设图案的金属层的侧边进行保护处理，可以避免后续蚀刻对具有预设图案的金属层的侧边产生影响，从而避免了金属电极上出现锯齿。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
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- 本公开提供一种半导体结构的制备方法。该方法包括：提供基底，基底包括阵列区、核心区和外围区；在基底上形成依序堆叠的金属层和第一掩膜层，并在位于阵列区和核心区的第一掩膜层中形成第一图案；在形成有所述第一图案的第一掩膜层上形成第二掩膜层，并在位于阵列区和核心区的第二掩膜层中形成第二图案；基于第二图案，蚀刻具有第一图案的第一掩膜层，在位于阵列区和核心区的第一掩膜层中形成第三图案；在第一掩膜层上形成第三掩膜层，并在位于外围区的第三掩膜层中形成第四图案；将第四图案转移至位于外围区的第一掩膜层中；基于第三图案和第四图案，蚀刻金属层，形成金属线。该方法能提高半导体结构良率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
