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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310728181.9在审
发明人：叶德夫;杜政杰;黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201711216324.9有效
发明人：黄如立;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据一些实施例，本公开提供一种半导体装置，其具有可调谐功函数值的金属栅极结构。在一范例中，第一栅极结构及第二栅极结构形成于基底上，其中第一栅极结构包括具有第一材料的第一功函数金属，且第二栅极结构包括具有第二材料的第二功函数金属，第一材料不同于第二材料，其中第一栅极结构还包括：栅极介电层；具有金属磷酸盐的自保护层；及位于自保护层上的第一功函数金属。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210837071.1在审
发明人：许耀文;庄英良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包含在基板的上方形成第一鳍片及第二鳍片。半导体结构的制造方法包含在第一鳍片及第二鳍片的上方形成一或多个功函数层。半导体结构的制造方法包含在一或多个功函数层的上方形成氮化物基金属膜。半导体结构的制造方法包含以可图案化层覆盖第一鳍片。半导体结构的制造方法包含将氮化物基金属膜的第二部分从第二鳍片移除，并在第一鳍片的上方留下实质上完整的氮化物基金属膜的第一部分。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210679189.6在审
发明人：潘育麒;林冠玮;苏育德;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：沉积第一功函数层在第一沟槽及第二栅极沟槽上方。方法包括沉积第二功函数层在第一功函数层上方。方法包蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层，且覆盖第二栅极沟槽中的第二功函数层，导致第一栅极沟槽中的第一功函数层包含蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层后所留下的金属掺质。方法包括形成第一主动栅极结构及第二主动栅极结构，第一主动栅极结构及第二主动栅极结构各自包括第一功函数层及从第一栅极沟槽中的第二功函数层所留下的金属掺质、以及第一功函数层及无从第二功函数层所留下的金属掺质。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于化学机械抛光和清洗的系统和方法-CN201910309885.6有效
发明人：孙旭昌;刘启人;庄英良;吴历杰;陈亮光;颜名良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
用于化学机械抛光清洗系统方法

[发明专利]栅极堆叠结构及其形成方法-CN201810722271.6有效
发明人：黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种在处理期间清洁含镧衬底而不会形成不期望的镧化合物的方法。在一个实施例中，清洁方法包括：在用HF溶液清洁含镧衬底之前，用酸性溶液处理含镧衬底。该清洁方法允许使用掺杂镧的高k介电层以调节栅极堆叠件的有效功函数，因此改进了器件性能。本发明实施例涉及栅极堆叠结构及其形成方法。
栅极堆叠结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202110823690.0在审
发明人：潘育麒;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括鳍状结构位于基板上。半导体装置包括第一界面层跨过鳍状结构。半导体装置包括栅极介电层沿着鳍状结构的侧壁延伸。半导体装置包括第二界面层覆盖鳍状结构的上表面。半导体装置包括栅极结构跨过鳍状结构。第一界面层与栅极介电层位于栅极结构与鳍状结构的侧壁之间。
半导体装置

[发明专利]切割金属工艺中的基脚去除-CN201810875547.4有效
发明人：黄铭淇;黄国彬;庄英良;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括形成栅极堆叠件，栅极堆叠件包括：位于第一半导体鳍的部分上方的第一部分，位于第二半导体鳍的部分上方的第二部分，以及将第一部分连接至第二部分的第三部分。对栅极堆叠件的第三部分实施各向异性蚀刻以在第一部分和第二部分之间形成开口。在各向异性蚀刻之后，第三部分的基脚部分保留。该方法还包括实施各向同性蚀刻以去除基脚部分的金属栅极部分，以及用介电材料填充开口。本发明的实施例还涉及切割金属工艺中的基脚去除。
切割金属工艺中的基脚去除

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN202011162185.8在审
发明人：许耀文;黄铭淇;庄英良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了利用底部抗反射层的处理工艺的半导体器件和方法。该处理工艺可以是物理处理工艺，其中添加材料以填充底部抗反射层的材料内的洞和孔，或者处理工艺可以是化学处理工艺，其中使用化学反应来形成保护层。通过处理底部抗反射层，减少或消除了随后施加的化学物质的扩散，从而有助于防止由这种扩散引起的缺陷。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件结构、半导体器件及其形成方法-CN201810455390.X有效
发明人：黄如立;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了具有可调功函值的金属栅极结构的半导体器件结构。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；其中，第一栅极结构包括具有第一材料的第一栅极介电层，并且第二栅极结构包括具有第二材料的第二栅极介电层，第一材料与第二材料不同，其中，第一栅极结构和第二栅极结构还包括分别设置在第一栅极介电层和第二栅极介电层上的第一自保护层和第二自保护层，其中，第一自保护层包括金属磷酸盐，并且第二自保护层包括含硼络合剂，以及位于第一栅极结构中的第一自保护层上的第一功函调整层。本发明的实施例还涉及在不同材料的高K介电层上形成的自保护层。本申请的实施例提供了一种半导体器件结构、半导体器件及其形成方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]金属栅极结构、半导体器件及其制造方法-CN201711339828.X有效
发明人：黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种金属栅极结构以及包括实施金属栅极切割工艺的相关方法。金属栅极切割工艺包括多个蚀刻步骤。例如，实施第一各向异性干刻蚀，实施第二各向同性干刻蚀，并且实施第三湿刻蚀。在一些实施例中，第二各向同性蚀刻去除包括含金属层的金属栅极层的残留部分。在一些实施例中，第三蚀刻去除介电层的残留部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。
金属栅极结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]鳍状场效晶体管装置-CN201910375551.9在审
发明人：黄如立;江欣哲;潘育麒;杨峻铭;梁春升;庄英良;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。
栅极结构功函数金属层栅极金属层上表面充填鳍状场效晶体管顶侧表面鳍状物基板自组装单层内侧侧壁共平面

[发明专利]半导体结构-CN201810525377.7在审
发明人：黄如立;黄铭淇;庄英良;叶明熙;江欣哲;梁春昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。
单层湿式工艺蚀刻图案化金属层半导体结构功函数调整界面介电层栅极间隔物栅极工艺金属层湿蚀刻下方层粘着层阻障层鳍状物盖层移除遮罩置换

[发明专利]半导体装置结构的制造方法-CN201810272560.0在审
发明人：沈香谷;鄞金木;萧琮介;庄家霖;游力蓁;陈殿豪;王士玮;余德伟;陈建豪;卢柏全;李志鸿;徐志安;洪敏修;黄鸿仪;周俊诚;庄英良;黄彦钧;彭治棠;赵晟博;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本公开一些实施例，提供半导体装置结构的制造方法。上述方法包含形成鳍结构于基底上。上述方法亦包含形成栅极结构于鳍结构上。上述方法还包含形成鳍间隙物于鳍结构的侧壁上，及形成栅极间隙物于栅极结构的侧壁上。此外，上述方法包含形成源/漏极结构于鳍结构上，及沉积虚置材料层以覆盖源/漏极结构。上述方法亦包含移除虚置材料层以露出源/漏极结构及鳍间隙物。上述方法还包含形成硅化物层于源/漏极结构及鳍间隙物上，且形成接触物于硅化物层上。虚置材料层包含锗、非晶硅或旋涂碳。
源/漏极鳍结构材料层间隙物半导体装置结构硅化物层栅极结构侧壁栅极间隙非晶硅接触物基底旋涂移除沉积制造覆盖

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201711191912.1在审
发明人：黄如立;江志隆;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例提供湿工艺为主的方法形成自组装单层于特定的晶体管上，以调整高介电常数介电物‑金属栅极的临界电压。在一实施例中，方法包括形成栅极结构于基板上，且栅极结构包含栅极介电层、阻挡层形成于栅极介电层上、以及氧化物层形成于阻挡层上。上述方法也将氧化物层暴露至水溶液以形成自组装单层于氧化物层上，且水溶液包含金属氧化物于溶解金属的酸中。
氧化物层栅极介电层自组装单层栅极结构阻挡层半导体装置高介电常数金属氧化物金属栅极临界电压晶体管基板介电溶解金属暴露

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