[发明专利]半导体标记及其形成方法在审
| 申请号： | 202010325831.1 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113555345A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张胜安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种本发明的半导体标记及其形成方法，所述半导体标记包括：前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。由于本发明中半导体标记中的前层标记中第一图形和第二图形的材料性质不同，进行测量时，所述第一图形和第二图形对测量光的反射率是不同的，因而提高了测量时获得的第一图形和第二图形的图像对比度，使得第一图形和第二图形的位置和边界得以清楚的确认，从而使得前层标记的测量更加精确。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 标记 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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