[发明专利]半导体标记及其形成方法

说明书

一种本发明的半导体标记及其形成方法，所述半导体标记包括：前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。由于本发明中半导体标记中的前层标记中第一图形和第二图形的材料性质不同，进行测量时，所述第一图形和第二图形对测量光的反射率是不同的，因而提高了测量时获得的第一图形和第二图形的图像对比度，使得第一图形和第二图形的位置和边界得以清楚的确认，从而使得前层标记的测量更加精确。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种半导体标记及其形成方法。

背景技术

在现代集成电路制造过程中，需要将不同的掩膜图形重叠在圆片上，光刻工序是半导体生产中形成掩膜图形的过程，为保证产品的性能，每一层的掩膜图形都需要精确对准。为保证掩膜图形的对准效果，需要提高光刻机曝光时晶圆上的前层对准标记以及晶圆曝光之后的前层套刻标记的测量精度。

随着集成电路(IC)工艺的迅速发展，关键尺寸(CD)的微缩，芯片的制作工艺越来越复杂，例如使用的牺牲掩膜层越来越厚，牺牲掩膜层的叠层数目越来越多，这些因素使得前层标记的测量图像变的不清晰，导致无法获得前层标记的准确位置和边界，进而影响测量精度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题为提高光刻机曝光时晶圆上的前层对准标记以及曝光之后的前层套刻标记的测量精度。

本发明提供了一种半导体标记，其特征在于，包括：

前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。

可选的，所述第一图形包括若干第一子图形和若干第二子图形；所述第一子图形和所述第二子图形的材料性质不同。

可选的，所述第一子图形、所述第二子图形和所述第二图形的材料性质均不同。

可选的，所述材料性质包括材料的折射率和/或材料的消光系数。

可选的，所述第一图形的材料的反射率与所述第二图形的材料的反射率之比大于1.2，或者所述第二图形的材料的反射率与所述第一图形的材料的反射率之比大于1.2。

可选的，所述第一子图形和所述第二子图形为单一结构图形，所述第二图形为复合结构图形。

可选的，所述第一子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种，所述第二子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种。

可选的，所述复合结构图形包括金属氮化物层、金属氧化物层、金属硅化物层中任一种和金属层的组合层。

可选的，所述金属的厚度至少为所述第一子图形或所述第二子图形高度的40％-90％。

可选的，所述第一图形的尺寸大于所述第二图形的尺寸，所述若干第一子图形等间距分布，并且所述第一子图形的尺寸相同，所述若干第二子图形等间距分布，并且所述第二子图形的尺寸相同，所述第一子图形的尺寸和所述第二子图形的尺寸均小于所述第二图形的尺寸。

可选的，所述第一子图形的尺寸为所述第二子图形的尺寸的1/3-3/4。

可选的，所述前层标记包括光刻机曝光时晶圆上的前层对准标记或晶圆曝光后的前层套刻标记。

本发明还提供了一种半导体标记的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。