[发明专利]半导体标记及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体标记，其特征在于，包括：

前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。

2.如权利要求1所述的半导体标记，其特征在于，所述第一图形包括若干第一子图形和若干第二子图形；所述第一子图形和所述第二子图形的材料性质不同。

3.如权利要求2所述的半导体标记，其特征在于，所述第一子图形、所述第二子图形和所述第二图形的材料性质均不同。

4.如权利要求3所述的半导体标记，其特征在于，所述材料性质包括材料的折射率和/或材料的消光系数。

5.如权利要求1所述的半导体标记，其特征在于，所述第一图形的材料的反射率与所述第二图形的材料的反射率之比大于1.2，或者所述第二图形的材料的反射率与所述第一图形的材料的反射率之比大于1.2。

6.如权利要求4所述的半导体标记，其特征在于，所述第一子图形和所述第二子图形为单一结构图形，所述第二图形为复合结构图形。

7.如权利要求6所述的半导体标记，其特征在于，所述第一子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种，所述第二子图形的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳、掺硼的氧化硅、掺磷的氧化硅中的任一种。

8.如权利要求7所述的半导体标记，其特征在于，所述复合结构图形包括金属氮化物层、金属氧化物层、金属硅化物层中任一种和金属层的组合层。

9.如权利要求8所述的半导体标记，其特征在于，所述金属的厚度至少为所述第一子图形或所述第二子图形高度的40％-90％。

10.如权利要求6所述的半导体标记，其特征在于，所述第一图形的尺寸大于所述第二图形的尺寸，所述若干第一子图形等间距分布，并且所述第一子图形的尺寸相同，所述若干第二子图形等间距分布，并且所述第二子图形的尺寸相同，所述第一子图形的尺寸和所述第二子图形的尺寸均小于所述第二图形的尺寸。

11.如权利要求10所述的半导体标记，其特征在于，所述第一子图形的尺寸为所述第二子图形的尺寸的1/3-3/4。

12.如权利要求1-11任一项所述的半导体标记，其特征在于，所述前层标记包括光刻机曝光时晶圆上的前层对准标记或晶圆曝光后的前层套刻标记。

13.一种半导体标记的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成前层标记，所述前层标记包括第一图形和第二图形，所述第二图形位于相邻的所述第一图形之间，所述第一图形与所述第二图形的材料性质不同。

14.如权利要求13所述的半导体标记的形成方法，其特征在于，所述第一图形的形成方法包括：

在所述基底上形成第一材料层；

刻蚀所述第一材料层，形成若干第一凹槽和所述第一凹槽之间的若干凸起，所述凸起形成第一子图形；

在所述第一凹槽中填充第二材料层形成第二子图形；

所述第一子图形和所述第二子图形构成所述第一图形。

15.如权利要求14所述的半导体标记的形成方法，其特征在于，所述第一子图形的尺寸为所述第二子图形的尺寸的1/3-3/4。

16.如权利要求14所述的半导体标记的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第二子图形之后去除所述凸起；

在去除的所述凸起位置填充第三材料层形成第一子图形。