[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202010106310.7 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113161324A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 虞济华;龚世宗;仲文君;洪翊紘 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 刘莉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括基底、设置于基底上的电容结构以及互连结构，电容结构设置于基底上且位于电容结构区，其包括下电极板、上电极板、堆叠介电层以及中间介电层。上电极板设置于下电极板之上，且堆叠介电层设置于下电极板及上电极板之间。中间介电层设置于下电极板与上电极板之间，且中间介电层仅位于电容结构区。中间介电层的介电常数高于堆叠介电层的介电常数。互连结构包括至少一插塞与一金属叠层，互连结构位于与电容结构区相邻的连线区，且设置于中间介电层的至少一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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