[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基底；以及

一电容结构，设置于所述基底上且位于一电容结构区，其中所述电容结构包括：

一下电极板；

一上电极板，设置于所述下电极板之上；

一堆叠介电层，设置于所述下电极板及所述上电极板之间；

一中间介电层，设置于所述下电极板与所述上电极板之间，且所述中间介电层仅位于所述电容结构区且所述中间介电层的介电常数高于所述堆叠介电层的介电常数；以及

一互连结构，包括至少一插塞与一金属叠层，所述互连结构位于与所述电容结构区相邻的一连线区，其中所述互连结构设置于所述中间介电层的至少一侧。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述堆叠介电层和所述中间介电层间的厚度比为10：1至30：1。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述堆叠介电层的组成包括氧化硅，所述中间介电层的组成包括氮化硅、氮氧化硅或碳化硅。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述中间介电层的外侧面会延伸超过所述上电极板的外侧面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述上电极板会覆盖部分所述中间介电层，且被所述上电极板覆盖的所述中间介电层的所述部分的厚度会大于所述中间介电层其他部分的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述中间介电层设置于所述堆叠介电层与所述上电极板之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述中间介电层是一单层结构，且所述中间介电层直接接触所述堆叠介电层和所述上电极板。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述堆叠介电层包括复数个子介电层，且所述中间介电层设置于相邻的其中两个子介电层之间。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述堆叠介电层包括复数个子介电层，且所述电容结构还包括设置于相邻的其中两个子介电层之间的另一中间介电层，且所述另一中间介电层的介电常数高于所述堆叠介电层的介电常数。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述堆叠介电层和所述另一中间介电层之间的厚度比为10：1至30：1。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置进一步包括一顶层介电层，所述顶层介电层环绕所述上电极板，且直接接触所述上电极板、所述中间介电层和所述堆叠介电层。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述金属叠层包括一顶金属层以及至少一中间金属层，所述顶金属层设置于所述顶层介电层中，且所述顶金属层以及所述至少一中间金属层直接接触所述堆叠介电层。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一插塞设置于所述堆叠介电层中，且电连接至所述金属叠层。

14.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

形成一下电极板于所述基底上；

形成至少一子介电层于所述下电极板上；

形成一介电层于所述至少一子介电层上；

图案化所述介电层，以形成一中间介电层，其中所述中间介电层会暴露出部分所述至少一子介电层；

蚀刻未被所述中间介电层覆盖的部分所述至少一子介电层，以形成一孔洞；

填入至少一插塞至所述孔洞内；以及

形成一上电极板于所述中间介电层上。