[发明专利]高生产量CMP平台在审
申请号: | 201910801813.3 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN110614579A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 吴健立;沈宪聪;黄循康;黄正吉;杨棋铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/04;B24B37/34;H01L21/67 |
代理公司: | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种化学机械抛光系统,具有:第一抛光装置,被配置成对工件实施第一化学机械抛光;以及第二抛光装置,被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头,并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时,对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数,以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时,控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。 | ||
搜索关键词: | 抛光装置 再加工 化学机械抛光 测量装置 传送装置 抛光盘 成对 配置 化学机械抛光系统 测量工件 传送工件 辅助化学 机械抛光 控制器 | ||
【主权项】:
1.一种化学机械抛光系统,包括:/n第一抛光装置,包括第一抛光盘和第一CMP头,其中,所述第一CMP头被配置成当工件被放置在所述第一抛光盘上时以粗抛光方式对所述工件实施第一化学机械抛光;/n第二抛光装置,包括第二抛光盘和第二CMP头,其中,所述第二CMP头被配置成当所述工件被放置在所述第二抛光盘上时以细抛光方式对所述工件实施第二化学机械抛光;/n再加工抛光装置,包括再加工抛光盘和多个再加工CMP头,其中,所述再加工CMP头被配置成当所述工件被放置在所述再加工抛光盘上时对所述工件实施辅助化学机械抛光;/n测量装置,被配置成测量所述工件的一个或多个参数,所述一个或多个参数至少包括抛光均匀性;/n传送装置,被配置成在所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置以及所述测量装置中的两个或更多个装置之间传送所述工件;以及/n控制器,被配置成仅当所述测量装置所测量的所述一个或多个参数不符合要求时,经由所述传送装置将所述工件选择性地传送到所述再加工抛光装置,其中,所述控制器进一步被配置成当测量的所述抛光均匀性不符合要求时选择所述多个再加工CMP头中的用于均匀性问题的一个以对所述工件实施所述辅助化学机械抛光。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910801813.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超精设备振荡机构
- 下一篇:抛光垫及其制备方法、化学机械研磨设备
- 同类专利
- 化学机械研磨系统及其方法-201910698002.5
- 彭钲钦 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2019-07-31 - 2020-02-11 - B24B37/005
- 一种用于化学机械研磨装置的系统及其方法。本揭露的一些实施方式说明一种从多层研磨垫移除可消耗的(例如,牺牲的)研磨垫层的方法及其装置。此方法包括测量多层研磨垫的顶研磨垫层的厚度轮廓,并比较厚度轮廓与阈值。此方法响应于厚度轮廓高于阈值,清洗多层研磨垫的顶研磨垫层,并在顶研磨垫层被清洗之后,移除顶研磨垫层以暴露多层研磨垫的下面的研磨垫层。
- 研磨装置及研磨方法-201610899522.9
- 高桥太郎;铃木佑多 - 株式会社荏原制作所
- 2016-10-14 - 2020-02-07 - B24B37/005
- 在即使使用噪声滤波器也无法除去噪声的情况,也良好地检测转矩电流的变化,使研磨终点检测的精度提高。研磨装置(100)具有:第一电动机(14),旋转驱动研磨台(12);以及第二电动机(22),旋转驱动保持半导体晶片(18)的顶环(20)。研磨装置(100)具有:电流检测部(24);储存部(24),在规定区间内持续储存被电流检测部(24)检测到的三相电流值;差分部(112),求得在与规定区间不同的区间内检测到的电流值与所述储存的电流值的差分;以及终点检测部(29),根据所述差分部(112)输出的差分的变化,检测表示半导体晶片(18)的表面研磨的结束的研磨终点。
- 一种光纤连接器端面研磨厚度控制装置-201920616274.1
- 胡敬祥 - 深圳市方达研磨技术有限公司
- 2019-04-30 - 2020-02-04 - B24B37/005
- 本实用新型公开了一种光纤连接器端面研磨厚度控制装置,包括基座、第一电机、放置台、控制面板和研磨盘,所述基座的上方设有放置台,且放置台顶端的两侧皆设有夹持机构,放置台的上方设有顶盖,并且顶盖底端的拐角位置处皆设有立柱,立柱的底端与基座的顶端固定连接,所述顶盖底端的中心位置处设有第一电机,且第一电机的输出端通过联轴器安装有第一转轴,并且第一转轴的底端设有承载板,所述承载板底端的中心位置处设有研磨盘,且研磨盘一侧的承载板底端设有距离感应器。本实用新型不仅避免了研磨装置使用时物件出现偏移的现象,实现了放置台以及基座之间间距调节的功能,而且降低了研磨装置使用时造成的环境污染。
- 用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台-201510776938.7
- 吴健立;杨棋铭;黄正吉 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2015-11-13 - 2020-01-14 - B24B37/005
- 本发明提供了一种局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台。工作台被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件。抛光垫与工作台隔开的宽度小于约工作台的宽度的一半。抛光垫被配置为分别抛光将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域。抛光液分配系统被配置为向抛光垫和工件之间的界面施加抛光液。清洁系统被配置为在工作台上原位清洁工件。干燥系统被配置为在工作台上原位干燥工件。还提供了用于具有局部轮廓控制的CMP的方法和具有局部轮廓控制的系统。
- 一种金刚石复合片表面金属皮去除装置及工艺-201910776125.6
- 张猛;卢灿华;陈芳兴;赵鑫 - 中南钻石有限公司
- 2019-08-22 - 2020-01-10 - B24B37/005
- 本发明公开一种金刚石复合片表面金属皮去除装置及工艺,属于超硬复合材料加工制造领域,该装置主要由金刚石研磨盘、研磨液和蠕动泵三部分组成,工艺方法为利用金刚石研磨盘旋转研磨刀具用金刚石复合片合成后毛坯复合层表面的金属皮,旋转研磨的同时配合蠕动泵向金刚石研磨盘表面添加特制的碳化硅研磨液。研磨液是将水玻璃溶液与碳化硅按照质量约1:(0.8~01.5)比例进行混合,通过这种碳化硅研磨液配合金刚石研磨盘的研磨方法,可有效去除刀具用金刚石复合片合成后毛坯复合层表面金属皮,碳化硅研磨液可参与研磨去除同时又可有效的起到对金刚石研磨盘进行开刃作用,达到了复合片毛坯表面金属皮的目的。
- 弹性模量梯度变化研抛盘的材料去除率测量装置-201920136350.9
- 王礼明;金明生;康杰;董晓星;朱栋杰 - 浙江工业大学
- 2019-01-27 - 2020-01-07 - B24B37/005
- 本实用新型公开了一种弹性模量梯度变化研抛盘的材料去除率测量装置,包括X轴运动模组、Y轴运动模组、负压配模调压装置、弹性模量梯度变化研抛盘、抛光机、工作台机架、压力调节反馈装置和调平校准装置实验平台,本实用新型在传统的平面工整抛光中对被测硬脆材料工件添加了负压配模,可有效的减弱“边缘效应”,引入梯度功能研抛盘理念,实现工件接触表面的接触应力梯度分布,可更大程度的实现工件表面的均匀去除,填补了基于梯度功能研磨盘的硬脆材料均匀去除新型超精密加工技术尚无相关测量试验装置的空白,并提供了一套测试方法,该装置对后续大规模生产和提高加工质量有重要的测试意义。
- 一种抛光模修盘周期的检测装置及检测方法-201910917228.X
- 陈军;邵建达;张慧方;吴伦哲;杨明红;吴福林;秦豪杰 - 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司
- 2019-09-26 - 2020-01-03 - B24B37/005
- 一种抛光模修盘周期的检测装置及检测方法,该装置包括光学检测组件、处理器、水平度测量组件。该装置的光学检测组件使用结构光对抛光模表面形貌进行探测,处理器通过接收的包含抛光模表面形貌信息的探测光,计算处理得到抛光模表面沟槽的深度和宽度信息,从而确定抛光模的修复周期,监测抛光模的维护时间节点。本发明具有结构简单,测量准确,反应迅速,实现对抛光模修盘周期的原位检测,保证抛光模表面的磨削活跃度,提高加工效率和加工质量。
- 高生产量CMP平台-201910801813.3
- 吴健立;沈宪聪;黄循康;黄正吉;杨棋铭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2013-05-06 - 2019-12-27 - B24B37/005
- 一种化学机械抛光系统,具有:第一抛光装置,被配置成对工件实施第一化学机械抛光;以及第二抛光装置,被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头,并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时,对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数,以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时,控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。
- 一种金刚石膜研磨工装-201920522529.8
- 魏俊俊;贾鑫;张建军;刘金龙;陈良贤;李成明;高旭辉 - 北京科技大学
- 2019-04-17 - 2019-12-24 - B24B37/005
- 本实用新型属于金刚石膜加工技术领域,具体涉及一种在金刚石膜研磨过程中,能够保障金刚石膜高平整度,且能实现方便快捷测量金刚石膜去除量的金刚石膜研磨工装;所述工装包括:用于矫正金刚石膜膜厚均匀性的垂直定位轴;用于夹持垂直定位轴和固定金刚石膜支撑体的上托盘;作为所述金刚石膜支撑体用于固定金刚石膜的下托板;所述垂直定位轴可拆卸地设置在所述上托盘上,所述下托板可拆卸地设置在所述上托盘下方。所述工装这种夹持工装设计可以实现在金刚石膜研磨过程中只进行一次粘膜/卸膜操作,而且在研磨过程中,可以便捷地对金刚石膜任意区域的厚度进行测量。
- 一种用于数控铣床研磨环状工件的辅助装置-201920490159.4
- 马铭阳;刘雷;郑柏强;王洪巍;车利民;陈国宏;董礼涛;孙兆亮;刘尚 - 哈尔滨汽轮机厂有限责任公司
- 2019-04-11 - 2019-12-13 - B24B37/005
- 一种用于数控铣床研磨环状工件的辅助装置,主要为了解决解决现有解决现有环状工件端面研磨加工精度差的问题,本实用新型它包括旋转盘、工件配合套、N个螺钉和N个不锈钢弹簧,N为正整数,其连接方式为每个二号通孔内设置一个螺钉,每个螺钉的螺纹端设置在一个螺纹盲孔中,且每个螺钉与一个螺纹盲孔螺纹连接,在每个二号通孔和与之对应的螺纹盲孔之间设有一个不锈钢弹簧,本实用新型主要用于研磨环状工件的端面。
- 液控阀的阀芯和阀套智能配研磨装置-201910683638.2
- 朱西薇;熊力;李正睿;赵文峰;张东清;方兵;车飞 - 湖北三江航天红峰控制有限公司
- 2019-07-26 - 2019-12-10 - B24B37/005
- 本发明公开了一种液控阀的阀芯和阀套智能配研磨装置,其中,自动化配研磨设备中,阀套自动供料机构将阀套输送至定位槽中,机械手用于夹持并定位定位槽中的阀套;研磨棒自动供料机构将研磨棒顶起,研磨棒自动装/卸载机构将研磨棒取走,自动涂研磨膏机构用于将挤出研磨膏涂抹于研磨棒上;电主轴夹紧研磨棒,机械手将阀套套上研磨棒研磨至预设尺寸;自动化装配设备中,精密位移微调平台将研磨后的阀套进行固定并调节,导轨滑台上带动阀芯进行直线运动,并与阀套进行装配,测力计检测装配过程中的力。通过本发明的技术方案,保障研磨时运动平稳,采用高分辨率的测力计准确检测装配中的反馈力数据,从而得到配研磨质量高、一致性好的产品。
- 自动湿式研磨机台-201920178297.9
- 陈泰铭 - 陈泰铭
- 2019-01-31 - 2019-12-03 - B24B37/005
- 本实用新型提供一种自动湿式研磨机台,其可以通过自动控制系统的建置,达到预湿润与进刀控制的自动化。凭借所述的自动控制系统的设置,本实用新型可控制给水的时间与水量,达到自动预湿润的效果,并且具有精准控制水量的功效,同时,也具有环保省水的功效。掀盖控制器可用以控制盖体的开阖,增加安全性。进刀控制器则可以依据指令进行研磨轮的进退控制,经由电脑控制其进程,将可增进研磨的精准度,提升产品的合格率。
- 化学机械研磨制程方法及系统-201810466794.9
- 任晓荣 - 长鑫存储技术有限公司
- 2018-05-16 - 2019-11-26 - B24B37/005
- 本发明提供一种化学机械研磨制程方法和系统,方法包括将不同生产室获取的晶圆按照轮廓类型进行分组,以得到多个晶圆组;针对每个晶圆组建立控制模型,控制模型包括对所述晶圆的研磨参数;根据研磨参数对晶圆组中的晶圆进行研磨;采集在研磨过程中晶圆的膜厚度的移除量;以及根据晶圆的膜厚度的移除量调整同一晶圆组中下一晶圆的研磨参数,并根据调整的研磨参数对下一晶圆进行研磨;系统包括生产室和研磨装置,不同生产室生产的晶圆的表面具有不同的轮廓;研磨装置用于实现上述化学机械研磨制程方法。本发明将不同轮廓晶圆分组,一组晶圆与一个控制系统对应,以动态调整化学机械研磨制程的研磨参数,以改善化学机械研磨制程中晶圆平坦度。
- 在线改良晶圆表面平坦度的方法-201710311999.5
- 李弘恺;王佩佩;金军;路新春;沈攀 - 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
- 2017-05-05 - 2019-11-22 - B24B37/005
- 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上,CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统,抛光头包括多个压力分区,所述方法包括:确定晶圆表面材料层上的基准区;获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值;根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,对各压力分区的压力值进行调整;根据各压力分区调整后的压力值,控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此,通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小,可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率,从而实现可控平坦化,进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
- 专利分类