[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910800876.7 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110875285B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇翔;曾仲铨;赖佳平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/82;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的一些实施例涉及半导体结构及其形成方法。半导体结构包含具有沟槽阵列在其中的基底。沟槽阵列包含多个内沟槽，以及相邻于且沿着沟槽阵列的周围延伸的多个外沟槽。前述的外沟槽各自的宽度皆大于前述的内沟槽各自的宽度。堆叠在沟槽阵列上的电容材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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