[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底，具有一沟槽阵列在该基底内，其中该沟槽阵列包含多个内沟槽，以及相邻于且沿着该沟槽阵列的周围延伸的多个外沟槽，其中所述多个外沟槽各自的一宽度皆大于所述多个内沟槽各自的一宽度；以及

一电容材料堆叠在该沟槽阵列上，其中所述电容材料堆叠连续的延伸于所述多个外沟槽的侧壁和底面以及所述多个内沟槽的侧壁和底面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个外沟槽各自的该宽度皆大于所述多个内沟槽各自的该宽度10％到20％的范围。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电容材料堆叠包括一下电容电极层、一电容介电层和一上电容电极层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该下电容电极层和该上电容电极层各自包括氮化钛。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其中该电容材料堆叠包括二氧化硅、氮化硅或高介电常数的介电材料。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个外沟槽和所述多个内沟槽各自具有在20:1至100:1的范围内的深宽比。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个外沟槽和所述多个内沟槽各自与该沟槽阵列中相邻的沟槽之间具有一间隔，该间隔在0.1μm至0.25μm的范围内。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个内沟槽具有相同的宽度。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该沟槽阵列包括：

至少一个第一沟槽群沿着一第一方向延伸，其中该至少一个第一沟槽群包括一第一外沟槽，在该至少一个第一沟槽群的周围，且该第一外沟槽的宽度大于与该第一外沟槽相邻的一第一内沟槽的宽度；以及

至少一个第二沟槽群沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向，其中该至少一个第二沟槽群包括一第二外沟槽，在该至少一个第二沟槽群的周围，且该第二外沟槽的宽度大于与该第二外沟槽相邻的一第二内沟槽的宽度。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该至少一个第一沟槽群的沟槽大抵上彼此平行延伸，且该至少一个第二沟槽群的沟槽大抵上彼此平行延伸。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第二方向垂直于该第一方向。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其中该至少一个第一沟槽群的一沟槽沿着该第一方向相邻于该至少一个第二沟槽群的一沟槽，且该至少一个第一沟槽群的该沟槽沿着该第二方向相邻于该至少一个第二沟槽群的另一沟槽。

13.如权利要求1所述的半导体结构，还包括接触该电容材料堆叠的多个接触插塞。

14.一种半导体结构，包括：

一基底，具有多个沟槽阵列在该基底内；以及

多个电容材料堆叠，其中所述多个电容材料堆叠包括：

一第一电容材料堆叠，在所述多个沟槽阵列的一第一沟槽阵列上，其中该第一沟槽阵列包括多个第一内沟槽，以及相邻于且沿着该第一沟槽阵列的周围延伸的一第一外沟槽，该第一外沟槽的一宽度大于所述多个第一内沟槽各自的一宽度，其中所述第一电容材料堆叠连续的延伸于所述第一外沟槽的侧壁和底面以及所述多个第一内沟槽的侧壁和底面，以及

一第二电容材料堆叠，在所述多个沟槽阵列的一第二沟槽阵列上且与该第一沟槽阵列相邻，其中该第二沟槽阵列包括多个第二内沟槽，以及相邻于且沿着该第二沟槽阵列的周围延伸的一第二外沟槽，该第二外沟槽的一宽度大于所述多个第二内沟槽各自的一宽度。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该第一沟槽阵列的周围与该第二沟槽阵列的周围之间的间隔在2μm至5μm之间的范围内。