[发明专利]一种忆阻器十字交叉阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201910771619.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110600498A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 熊诗圣;姜琴;李冬雪;杨晓敏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种忆阻器十字交叉阵列的制备方法。本发明采用10nm及以下节点的导向自组装光刻技术在衬底上制备忆阻器交叉电极并以此定义氧化物功能层的特征尺寸，其中嵌段共聚物是由化学性质不同的两种及两种以上的单体聚合而成；使用热退火或者溶剂蒸汽退火法达到热平衡态，形成纳米层状结构；使用原子层沉积技术选择性地将金属氧化物渗透到极性嵌段中去，以产生一个硬掩模，增加刻蚀对比度；然后通过干法刻蚀转移到衬底的顶层硅；再采用串联自组装工艺来实现两层光栅结构的垂直交叉，接着制备忆阻器十字交叉结构中的顶部和底部电极阵列，再通过溶脱工艺，制作出迄今为止最大规模的器件阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 制备 自组装 衬底 半导体器件制备 原子层沉积技术 纳米层状结构 十字交叉结构 金属氧化物 嵌段共聚物 垂直交叉 单体聚合 底部电极 干法刻蚀 光刻技术 光栅结构 极性嵌段 交叉电极 器件阵列 热平衡态 溶剂蒸汽 十字交叉 顶层硅 功能层 热退火 退火法 硬掩模 氧化物 刻蚀 两层 串联 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器十字交叉阵列的制备方法，其特征在于，采用10nm及以下节点的导向自组装光刻技术制备忆阻器十字交叉阵列，其中忆阻器包含一层或多层忆阻单元，每个忆阻器器件的顶部电极与底部电极在同一平面上的投影互为直角，且由3个及以上的忆阻器器件阵列排布；其中：/n衬底材料采用Si或者Si/SiO
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
