[发明专利]半导体电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910470042.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018089B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;尹晓明;马强;何学缅 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体电容器及其制作方法，电容器包括：导电基底，所述导电基底中形成有电容槽，所述电容槽包括主沟槽及多个横向凹入所述导电基底内的弧形凹槽；电容介质层，形成于所述导电基底表面及所述电容槽表面；上电极，形成于所述电容介质表面。本发明通过在钝化层中添加刻蚀剂对导电基底侧壁进一步刻蚀，使得电容槽侧壁具有多个具有一定尺寸大小的横向凹入导电基底中的弧形凹槽，该弧形凹槽可有效增加电容的实际面积，从而可以在增加电容槽深度的情况下，有效提高电容值，本发明的半导体电容器与现有的具有相同深度电容槽的电容器相比，电容值可增加1.5倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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