[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910130255.2 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110581072A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;陈璿安;李嗣涔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭示内容描述半导体装置(例如：晶体管)，包括：基板，半导体区域其包括在表面处的MoS | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 单层材料 端子结构 基板 半导体装置 基板区域 内容描述 表面处 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：/n在一基板之上形成一第一二维材料的一第一层，该第一二维材料的该第一层具有一半导体特性；以及/n在该第一二维材料的该第一层之上形成一第二二维材料的一第二层，该第二二维材料不同于该第一二维材料。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
