[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310068994.6 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103579311A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备在第1方向上延伸的半导体部、控制电极和第1电极。控制电极在与第1方向正交的第2方向上与半导体部分离设置。半导体部包含第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域和第2导电型的第4半导体区域。第1半导体区域具有第1导电型。第2半导体区域设在第1半导体区域之上并与控制电极相对。第3半导体区域设在第2半导体区域之上，杂质浓度比第1半导体区域高。第4半导体区域与第3半导体区域并排，杂质浓度比第2半导体区域高。第1电极与第3半导体区域以及第4半导体区域导通。第4半导体区域偏向设置于半导体部的与控制电极相反的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：在第1方向上延伸的半导体部；在与上述第1方向正交的第2方向上与上述半导体部分离设置的控制电极；以及第1电极，上述半导体部包含：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上，隔着绝缘膜而与上述控制电极相对；第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第2半导体区域之上，具有比上述第1半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及第2导电型的第4半导体区域，与上述第3半导体区域并排，具有比上述第2半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度，上述第1电极在上述半导体部的上端与上述第3半导体区域及上述第4半导体区域导通；上述第4半导体区域偏向设置于上述半导体部的与上述控制电极相反一侧。
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