[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201910788113.5 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110600381A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 江文娟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/786 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板和阵列基板的制备方法,阵列基板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层和平坦化层;缓冲层形成在衬底的一侧,有源层形成在缓冲层远离所述衬底的一侧;栅极绝缘层形成在有源层和缓冲层上;栅极层形成在栅极绝缘层远离有源层的一侧,并图案化形成栅极;层间介质层形成在栅极层和栅极绝缘层上;源漏极层形成在层间介质层远离栅极层的一侧,并图案化形成源极和漏极,源极和漏极通过过孔与有源层连接,过孔形成在层间介质层和栅极绝缘层中;平坦化层形成在源漏极层远离层间介质层的一侧。通过将栅极绝缘层设置为整层结构,平坦化层更易填平,改善了显示效果。 | ||
搜索关键词: | 栅极绝缘层 层间介质层 源层 缓冲层 栅极层 阵列基板 源漏极 衬底 平坦化层 图案化 漏极 源极 显示效果 层结构 化层 制备 填平 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底:/n缓冲层,形成在所述衬底的一侧;/n有源层,形成在所述缓冲层远离所述衬底的一侧;/n栅极绝缘层,形成在所述有源层和所述缓冲层上;/n栅极层,形成在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧,并图案化形成栅极;/n层间介质层,形成在所述栅极层和所述栅极绝缘层上;/n源漏极层,形成在所述层间介质层远离所述栅极层的一侧,并图案化形成源极和漏极,所述源极和所述漏极通过过孔与所述有源层连接,所述过孔形成在所述层间介质层和所述栅极绝缘层中;/n平坦化层,形成在所述源漏极层远离所述层间介质层的一侧。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造