[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811619886.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111379027B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 任殿胜;朱颂义;赵波;王建利;刘岩;崔杨洲;张春宇 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B33/00;C30B23/02;C23C16/44;C23C16/30;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;刘文静 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京通美晶体技术有限公司，未经北京通美晶体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811619886.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法-202311171845.2
- 张国祯;陈意桥 - 苏州焜原光电有限公司
- 2023-09-12 - 2023-10-20 - C30B29/42
- 本发明提供一种渐变磷组分磷砷化镓材料的生长方法，包括如下步骤：S1、去除砷化镓衬底表面的氧化层，得到新鲜的GaAs表面；S2、生长一层GaAs缓冲层，以平滑脱氧后GaAs表面；S3、依次生长多层由数字合金GaAs/GaAsP
- 砷化镓多晶合成装置-201711088557.5
- 刘留;罗小龙 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2017-11-08 - 2023-08-22 - C30B29/42
- 本发明提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。
- 一种砷化镓多晶的制备方法-202310476686.0
- 曾国治;周铁军;罗小龙;易明辉 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2023-04-28 - 2023-07-21 - C30B29/42
- 本发明属于砷化镓多晶合成领域，公开了一种砷化镓多晶的制备方法。包括以下步骤：（1）将单质砷、单质镓分别置于砷舟和镓舟中，将砷舟、镓舟置于石英管，将石英管置于合成炉内，石英帽、石英管管口和部分砷舟位于合成炉低温区，另一部分砷舟位于合成炉中温区，镓舟位于合成炉高温区；（2）低同步升温，单质砷与单质镓发生反应；（3）采用水平定向凝固法在镓舟内生成砷化镓多晶料棒；（4）控制温度，使富砷凝结在石英帽上；（5）同步降温，至最后整体均降温到600℃以下，程序运行完毕。本发明使用后的石英管管壁没有腐蚀坑，使用次数增加，有利于石英管再次使用，极大地减少石英管的损耗率，节省了生产成本。
- 一种GaAs单晶生长工艺-202210171746.3
- 周雯婉 - 北京通美晶体技术股份有限公司
- 2022-02-24 - 2023-05-09 - C30B29/42
- 本申请涉及单晶生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。本申请的GaAs单晶生长工艺，包括如下步骤：S1、多晶合成：（1）装料：将砷和镓放入炉中；（2）合成多晶：调整炉内压强以及温度至多晶物料完全熔化，降温；（3）冷却出炉：降低温度，取出即得多晶半成品；S2、多晶清洗：将多晶半成品置于清洗液中清洗，即得多晶成品；S3、单晶生长：（1）装料：向石英坩埚装入籽晶、多晶成品、余砷，放入石英安培瓶内并抽真空、烘烤、封焊；（2）装炉：依VGF工艺装入炉中；（3）长晶：依VGF工艺完成单晶生长，即得。本申请制得的GaAs单晶质量佳。
- 一种GaAs单晶及其VGF制备方法-202210417314.6
- 李志高;胡成斌;朱永生 - 北京通美晶体技术股份有限公司
- 2022-04-20 - 2023-05-09 - C30B29/42
- 本申请涉及GaAs单晶制备的技术领域，具体公开了一种GaAs单晶及其VGF制备方法。以Ga元素的含量为参考，制备所述GaAs单晶的原料包括0.15~1.25mol%的稀散金属元素和0.01~0.25mol%的Bi元素；所述稀散金属元素为元素Te和元素Se中的至少一种；制备GaAs单晶的方法包括以下步骤：S1、将砷化镓籽晶、高纯砷、高纯镓、铋锭和稀散金属元素的金属块按照比例添加后，在1245~1300℃的环境温度下反应，合成得到GaAs熔体，S2、将所述GaAs熔体降温后得到GaAs单晶。本申请的GaAs单晶具有位错密度低、成品率高以及电学性能优异的优点。
- 一种新型砷化镓单晶生长装置-202221798785.8
- 代晓波;吕利宁;蒙泽志;彭春文;彭海松;粟誉 - 独山中科晶元信息材料有限公司
- 2022-07-13 - 2023-03-24 - C30B29/42
- 本实用新型涉及半导体单晶生产技术领域，且公开了一种新型砷化镓单晶生长装置，包括固定座、加热炉支撑架、加热炉、石英管、氮化硼坩埚、籽晶，所述加热炉支撑架固定安装在固定座的顶部，所述加热炉的数量为四个，四个所述加热炉分别固定安装在加热炉支撑架的前后左右侧，四个所述加热炉的顶部和底部均设置有开口。该新型砷化镓单晶生长装置，通过启动电机使转轴转动，带动一号锥齿轮和大齿轮转动，配合一号锥齿轮与二号锥齿轮啮合，使拉绳在绕绳辊上收紧或放松，以及大齿轮分别与四个小齿轮啮合，使四个石英管同时在四个加热炉内部进行升降旋转，使四个单晶同步生长，实现了提高砷化镓单晶制备效率的效果。
- 一种具有温控装置的砷化镓升华炉-202223091040.0
- 李林;陈华革;沈冬雪 - 大庆菲曼希精密设备制造有限公司
- 2022-11-21 - 2023-03-14 - C30B29/42
- 本实用新型提一种具有温控装置的砷化镓升华炉。涉及半导体晶体生长设备技术领域。坩埚垂直方向等间距排列有四个加热元件，相邻的加热元件之间设有隔板，隔板上加工有凸起的台阶环，加热元件插在台阶环内，隔板通过支撑柱和螺母固定。本实用新型具有如下有益效果：设置隔板将各个加热元件分隔在不同的腔室内，供给四个加热元件不同的加热功率，使坩埚内形成由下至上温度逐渐增加的温度梯度，在此温度梯度的驱动下，促进晶体的生长，将两个相邻的加热元件隔离开，阻隔了相邻不同加热温度的加热元件之间的热对流及热辐射，由下至上温度增加的温度梯度更稳定，热电偶放置在石英管、石英套的管壁内，更接近于坩埚的实际温度，控制温度更精准。
- 一种生产率高的砷化镓单晶生长炉-202223269280.5
- 李林;陈华革;沈冬雪 - 大庆菲曼希精密设备制造有限公司
- 2022-12-05 - 2023-03-14 - C30B29/42
- 本实用新型提一种生产率高的砷化镓单晶生长炉。涉及半导体晶体生长设备技术领域。炉筒为炉体、保温桶、电热元件安装成为一体结构，炉座上安装有坩埚托，坩埚托上放置有坩埚，炉座底部固定连接底座，底座上安装有龙门架，龙门架的上梁底部固定连接油缸，油缸的柱塞固定连接炉筒上部。本实用新型具有如下有益效果：通过油缸动作即可将炉筒上升和下降，一体结构的炉筒上升后将坩埚放置在坩埚托上，落下炉筒即可完成安装过程，提高了单晶生长炉的生产效率，同时可保证炉体落下时顺利与炉座接合且不会和油缸的柱塞发生机械干涉，降低加工、安装精度。
- GaAs晶锭及GaAs晶锭的制造方法、以及GaAs晶圆-202180041861.2
- 砂地直也;鸟羽隆一;赤石晃 - 同和电子科技有限公司
- 2021-06-07 - 2023-02-03 - C30B29/42
- 提供一种GaAs晶锭，其通过与Si一起添加少量的In，可得到载流子浓度为5.5×10
- 一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法-202111616596.4
- 王金灵;周铁军;马金峰;罗小龙 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2021-12-27 - 2022-12-30 - C30B29/42
- 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒。本发明方法能够显著降低杂质含量及增加合成多晶棒的直径，可用于制造性能优越的半绝缘单晶。
- 一种石英镓舟-202221267335.6
- 曾国治;周铁军;罗小龙;易明辉 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2022-05-25 - 2022-12-30 - C30B29/42
- 本实用新型提供了一种石英镓舟。将石英镓舟本体设置为圆柱形，并在石英镓舟本体的上侧开设槽口；以及将连接件的一端固定于槽口的一侧，另一端固定于槽口的另一侧。通过上述公开的石英镓舟，通过在石英镓舟本体的槽口处增加连接件，能够增加槽口处的束缚力，进而提升石英镓舟整体的稳定性，进而能够保证石英镓舟本体在高温条件下合成多晶料棒时不会变形，并保证了多晶料棒的形状，相较于现有技术，由于本实用新型的石英镓舟本体不会在高温条形下变形，使得石英镓舟本体不会因变形而破裂，有效避免石英镓舟本体内的砷原料泄漏而污染环境。
- 一种砷化镓多晶的合成装置-202221798792.8
- 蒙泽志;彭海松;彭春文;代晓波;吕利宁;粟誉 - 独山中科晶元信息材料有限公司
- 2022-07-13 - 2022-11-25 - C30B29/42
- 本实用新型公开了一种砷化镓多晶的合成装置，包括炉体，所述炉体的顶部内壁开设有台阶槽，炉体的顶端内部放置有炉盖，炉体的顶部两侧分别固定设置有固定凸耳和轴座，轴座内通过转动安装有安装板，安装板一端固定安装有螺纹杆，安装板整体延炉体的径向设置，安装板的中间处贯穿安装有抵紧螺杆，抵紧螺杆与安装板的连接处通过螺纹连接，通过设置的轴座、固定凸耳、安装板，在使用时首先将炉盖转动至炉体上方，将螺纹杆配合固定凸耳上的固定通槽卡接，旋转锁紧转盘A104对安装板进行定位固定，此时再转动锁紧转盘B，配合抵紧螺杆将炉盖挤压在炉体内部。设置的台阶槽、密封圈，使炉盖在配合使更加紧密，提高其密封性。
- 一种砷化镓多晶的制备方法-202110946742.3
- 罗小龙;周铁军;易明辉;曾国治 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2021-08-17 - 2022-10-21 - C30B29/42
- 本发明提供了一种砷化镓多晶的制备方法，涉及多晶合成技术领域。本发明提供的砷化镓多晶的制备方法包括如下步骤：(1)将单质砷、单质镓置于真空装置炉中，炉内抽真空；(2)将所述真空装置炉的炉温升温至第一目标温度；(3)将炉温从所述第一目标温度降温至第二目标温度；(4)将炉温从所述第二目标温度降温至第三目标温度，得到所述砷化镓多晶。本发明砷化镓多晶的制备全程在真空环境下进行，原料采用单质砷和单质镓，单质砷和单质镓在第一目标温度下生成熔融状态的砷化镓，再通过炉内的分阶段降温，使不同高度的砷化镓的温度出现差异，从而实现砷化镓凝固成预定形态的多晶棒。
- 一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备-202210733857.9
- 袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 - 大庆溢泰半导体材料有限公司
- 2022-06-27 - 2022-10-04 - C30B29/42
- 一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备，涉及砷化镓废料回收装置领域，包括真空压力分解装置、砷回收装置和镓回收装置；真空压力分解装置包括真空分解炉，真空分解炉一端为高温端，另一端为低温端，砷回收装置包括集砷罐和真空泵，集砷罐与真空泵连通，集砷罐的上部与真空分解炉的低温端通过管路连通，集砷罐设置有竖向放置的收集网，集砷罐下方设置有砷收集盒；镓回收装置包括镓液冷却过滤器、洗镓槽、分级溢流槽和镓液收集槽。本发明旨在对砷化镓废料进行全程自动化处理，减少人员接触，自动上料，砷镓自动分离，分离后自动进行纯化处理，产出品纯度至少在5N以上，剩余尾料可循环使用，基本实现零排放。
- 一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺-202210732221.2
- 郭全斌 - 浙江康鹏半导体有限公司
- 2022-06-23 - 2022-09-27 - C30B29/42
- 本发明公开了一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，包括以下步骤：第一步，制备高纯度砷化镓多晶；第二步，半绝缘砷化镓单晶的生长：将第一步制备的高纯砷化镓多晶，按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中，再采用垂直梯度凝固法，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长，获得半绝缘砷化镓单晶棒；第三步，砷化镓晶片的制备。本发明通过电解与加热线圈精炼获得高纯度砷化镓，同时再采用粗As
- 砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术-202210731620.7
- 鞠少功 - 浙江康鹏半导体有限公司
- 2022-06-23 - 2022-09-20 - C30B29/42
- 本发明公开了砷化镓加长晶体生长热场及工艺技术，包括石墨支座，所述石墨支座的内部炉腔设有多个依次竖直拼接的独立分段炉膛，所述石墨支座上放置有呈圆柱型设置的热解氮化硼坩埚，所述解氮化硼坩埚的顶端设有封堵塞，所述热解氮化硼坩埚内设有多个入料槽。本发明不仅单炉生长周期增加10‑20％，单炉生长晶体长度增加50％以上，而且载流子浓度在晶体横向和纵向的分布更均匀，同时位错浓度更低，分布更均匀。
- 砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法-202080096470.6
- 上松康二;佐藤一成;中西文毅 - 住友电气工业株式会社
- 2020-09-01 - 2022-09-20 - C30B29/42
- 一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。主面的算术平均粗糙度(Ra)为0.3nm以下。
- 一种基于Sn催化气相生长高质量GaAs纳米线的方法-201911199458.3
- 杨再兴;孙嘉敏;高兆峰 - 山东大学深圳研究院
- 2019-11-29 - 2022-07-19 - C30B29/42
- 本发明涉及一种基于Sn催化气相生长高质量GaAs纳米线的方法，包括：采用双温区气相法生长；双温区包括源区和生长区，源区放置GaAs粉末，用于提供源材料；生长区放置覆盖有Sn膜催化剂的衬底，用于纳米线的生长；源区和生长区之间放置表面活性剂，用于改良纳米线。本发明可以制备出表面光滑、直径均匀、密度高的GaAs纳米线。同时，本发明采用的化学气相沉积方法制备GaAs纳米线，条件简单，成本低廉。所采用的金属催化剂锡具有低熔点低温合金化的特点，促进了气‑液‑固生长，且不会在硅半导体中产生中间带隙。
- 一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-202210403538.1
- 高佑君 - 山西中科晶电信息材料有限公司
- 2022-04-18 - 2022-07-08 - C30B29/42
- 本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
- 气相外延方法-202011360647.7
- C·瓦赫特;G·凯勒 - 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
- 2020-11-27 - 2022-05-03 - C30B29/42
- 气相外延方法，具有以下方法步骤：提供第一传导类型的III‑V衬底，在装载温度T
- 大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法及装置-202010724074.5
- 高佑君;柴晓磊;樊海强 - 山西中科晶电信息材料有限公司
- 2020-07-24 - 2022-04-26 - C30B29/42
- 本发明公开了一种大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一:安装晶体生长炉,进行升温化料、调温、熔种处理；步骤二:将步骤一中熔种后的晶体生长炉的各温区进行调整温度，逐步降低肩部温度，完成晶体的放肩过程；步骤三:将晶体生长炉的支撑管及石英管保持不动，晶体生长炉的传动装置上移带动炉体移动，使晶体生长界面上移，实现晶体的生长；步骤四：炉体移动同时逐渐下降晶体生长炉的炉芯，使晶体生长炉的炉芯与支撑管相对移动；或调整散热通道内流体材料、流体速度，改变通过散热通道带走的热量，控制温度梯度。通过生长过程中对保温材料及相对位置的调整实现晶体生长过程中温度梯度的针对性调整。
- 一种高压无液封GaAs多晶合成方法-202210088077.3
- 胡成斌 - 北京通美晶体技术股份有限公司
- 2022-01-26 - 2022-03-01 - C30B29/42
- 本申请涉及GaAs多晶合成的领域，具体公开了一种高压无液封GaAs多晶合成方法。合成方法包括：S1、填料：取Ga水浴加热并收集熔融Ga液体，取As颗粒和熔融Ga液体分别置于反应坩埚的两端，上述Ga：As的摩尔比为1:1.08～1.1；S2、装炉：将反应坩埚置于反应炉中，抽真空后通氩气至反应坩埚中气压为3～5MPa；S3、保温合成：对反应炉通电升温后，保温处理并控制压强，保温反应直至As颗粒完全升华后，冷却处理，即可收集得GaAs多晶材料。本申请提高了As颗粒的填充质量，使其在实际合成反应过程中，能增加其与Ga的接触面积，可有效改善合成的GaAs多晶材料的纯度。
- 一种液态镓在真空状态下的凝固装置-202120532681.1
- 罗小龙;周铁军;王金灵;易明辉 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2021-03-15 - 2022-02-22 - C30B29/42
- 本实用新型涉及多晶合成领域，具体公开一种液态镓在真空状态下的凝固装置，用于放置封管，封管包括石英帽、石英管，石英帽和石英管焊接固定，焊接处形成焊道，石英管内有氮化硼舟，氮化硼舟置于封管内远离焊道端，凝固装置为用于容纳封管的凝固管，凝固管包括环形管状主体和尾部冷却装置，环形管状主体两端开口，冷却套固定在环形管状主体一端，环形管状主体另一端为开口处，焊道靠近环形管状主体的开口处放置，氮化硼舟置于尾部冷却装置内。在进行水平梯度凝固法合成的GaAs多晶时，使用本实用新型的液态镓在真空状态下的凝固装置，焊管完毕后将封管放进凝固装置中，使温度冷却到金属镓熔点以下，使液体镓凝固，从而避免撒镓，同时提高入炉效率。
- 一种砷化镓晶体生长用石英坩埚-202022216771.8
- 卜俊鹏 - 浙江康鹏半导体有限公司
- 2020-10-09 - 2022-01-14 - C30B29/42
- 本实用新型涉及砷化镓晶片加工技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚，包括底座，所述底座内壁底部固定安装有数量为两个且呈左右对称分布的电动滑轨，两个所述电动滑轨顶部均活动连接有半圆板。该砷化镓晶体生长用石英坩埚，通过开启电动滑轨带动两个半圆板相向移动夹紧坩埚，通过开启电动推杆下降使顶板与坩埚顶部贴合，通过开启伺服电机正转，伺服电机的输出轴带动螺纹杆旋转，使得螺纹杆上的连接杆旋转并向下匀速运动，进而带动刮板旋转并向下匀速运动，通过弹簧的压缩使刮板更好的与坩埚的内壁表面贴合，对坩埚内壁结晶的晶片进行刮取，实现可以方便及时的刮取坩埚内壁结晶的晶体的目的，方便了使用者的使用。
- 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法-202111065459.6
- 王顺金;惠峰;韩家贤;刘汉保;柳廷龙;韦华;普世坤;赵兴凯;何永彬;唐康中;吕春富;鲁闻华;黄平;陈飞宏;李国芳 - 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 2021-09-10 - 2022-01-11 - C30B29/42
- 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入PBN坩埚，将高纯碳帽套在坩埚颈部，PBN坩埚放置于石英管内，石英管口放置石英封帽，对石英管加热抽真空后封焊，采用VGF工艺进行单晶生长，将所得单晶切除头尾后切片，最后对晶片采用砷压闭管高温退火处理。发明在现有技术基础上，通过对单晶生长过程中碳的掺杂调控，获得原始暗点、颗粒度较低的高质量单晶，有利于进一步降低晶片内的暗点及颗粒度值。
- 半导体单晶成长坩埚-202023116163.6
- 刘卫国;周文婉;李志高 - 朝阳通美晶体科技有限公司
- 2020-12-22 - 2022-01-04 - C30B29/42
- 本实用新型涉及半导体单晶成长坩埚，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭圆体与晶种培育段的侧部通过曲线面平滑对接，半椭圆体与下圆台体侧部平滑对接；所述晶种成长段包括上圆台体、圆柱体，上圆台体与下圆台体侧部平滑对接，上圆台体与圆柱体侧部平滑对接。通过本实用新型所述半导体单晶成长坩埚其通过形状来限制单晶体晶种的成长过程和速度，其所培育出的单晶体成品率高。
- GaAs晶体-202010644652.4
- 谷崎圭祐;并川靖生 - 住友电气工业株式会社
- 2015-01-27 - 2021-12-31 - C30B29/42
- 本发明涉及GaAs晶体，其具有20cm
- 一种用于PBN坩埚自动清洗的花篮-202022520289.3
- 肖雨 - 威科赛乐微电子股份有限公司
- 2020-11-04 - 2021-12-10 - C30B29/42
- 本实用新型涉及清洗装置技术领域，公开了一种用于PBN坩埚自动清洗的花篮，包括底板和用于固定PBN坩埚的固定件，所述底板上均匀开设有若干个圆形通孔，底板上固定连接有相互对称的两个箱板、两个功能板，箱板与功能板固定连接，箱板和功能板上均匀开设有若干个矩形通槽，功能板中部固定连接有定位板，定位板上开设有长通槽和若干个半圆槽，长通槽和半圆槽相通；固定件包括承重柱和固定柱，承重柱的两端均固定连接固定柱。解决了PBN坩埚在清洗过程中不能完全浸泡在清洗液体内、PBN坩埚的籽晶腔会随着水流移动撞击到花篮而损坏以及花篮太轻不能沉入设定的位置而导致自动清洗无法进行的问题。
- 一种砷化镓多晶装料工作台-202120532675.6
- 罗小龙;王金灵;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
- 2021-03-15 - 2021-12-07 - C30B29/42
- 本实用新型涉及多晶合成领域，具体公开一种砷化镓多晶装料工作台，包括放置台、放置台正下方的物料回收箱、固定支撑放置台和物料回收箱的台架，放置台上均匀布满供小孔，物料回收箱的顶部面为收集面收集面上均匀布满供洒落粉末穿过的小孔二，在物料回收箱内设有抽风装置，抽风风向为粉末掉落方向，在顶层放置台固定设置有送风装置，送风装置设有送风口，放置台上设有开口，送风口与开口连通，送风风向为粉末掉落方向，在放置台与物料回收箱之间平行固定设有紫外线灯，在物料回收箱顶部收集面上设置有放置石英管的支架。在进行水平梯度凝固法合成的GaAs多晶时，进行装料步骤，使用本实用新型的砷化镓多晶装料工作台，能有效提高工作环境的洁净度。
- 半绝缘性砷化镓晶体基板-202110717986.4
- 河本真弥;木山诚;石川幸雄;桥尾克司 - 住友电气工业株式会社
- 2017-09-21 - 2021-11-02 - C30B29/42
- 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×10
- 专利分类
