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[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法-CN202110885972.3在审
发明人：任殿胜;刘宇;朱颂义 -专利权人：保定通美晶体制造有限责任公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶片，该砷化镓晶片的一个表面具有氮化镓钝化层，并且所述具有氮化镓钝化层一侧的砷化镓晶片表面的均方根粗糙度不高于0.22nm，接触角不大于4°，所述砷化镓晶片表面的均方根粗糙度使用原子力显微镜测定，且所述接触角使用接触角测量仪测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法：通过氮气和氢气混合气体在远程射频源作用下形成的氮、氢混合等离子体处理初始砷化镓晶片的表面并形成氮化镓钝化层。本发明的砷化镓晶片具有良好的可控性和稳定性，其表面粗糙度小、缺陷较少且具有超亲水性，并且本发明的砷化镓晶片的性能有大幅度提升，能够为后续的工艺应用提供优质的衬底。
一种砷化镓晶片及其制备方法

[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途-CN201910483748.4有效
发明人：拉贾拉姆·谢蒂;王元立;刘卫国;周雯婉;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。
晶片制法用途

[发明专利]背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液-CN201710612344.1有效
发明人：王留刚;李海淼;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大维度为65微米，凹坑的最大深度为6.0微米。本发明还涉及该{100}磷化铟(InP)晶片的制备方法以及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片背面分布有凹坑，在外延生长中受热均匀，应用效果好。
背面有凹坑磷化晶片制法制备腐蚀

[发明专利]一种砷化镓晶片及其制备方法-CN201811619886.2有效
发明人：任殿胜;朱颂义;赵波;王建利;刘岩;崔杨洲;张春宇 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，优选低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通过本发明说明书实施例中第III部分定义的检测方法进行测定。本发明还涉及所述砷化镓晶片的制备方法，包括以下步骤：1)使用酸或碱溶液对晶片表面进行浸泡清洗；2)对晶片进行化学机械抛光；3)抛光后，使用氧化剂对晶片表面进行氧化；4)对晶片经过碱溶液处理，随后用去离子水清洗；5)对晶片经过SC‑1溶液处理，随后用去离子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化剂对晶片表面进行处理；8)氮气或真空包装。
一种砷化镓晶片及其制备方法

[发明专利]背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液-CN201710611710.1有效
发明人：王留刚;李海淼;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，在外延生长中受热均匀，应用效果好。
背面橄榄形凹坑磷化晶片制法所用腐蚀

[实用新型]垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列-CN202020081085.1有效
发明人： 朱颂义;王元立 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器，其包括：基片，具有承置面和与承置面成45度角的反射面；以及边发射激光器芯片，布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束，激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光器的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光器实现了边发射激光器到垂直芯片表面发射激光器的转化，并且实现了垂直表面发射激光器的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光器相比，这种垂直芯片表面发射激光器件结构简单、制造工艺成熟，从而加工成本更低、产品可靠性更高。
垂直芯片表面发射激光器其一维和二维阵列

[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途-CN201711296746.1有效
发明人：拉贾拉姆·谢蒂;王元立;周雯婉;刘卫国;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。
晶片制法用途

[发明专利]从晶片揭除粘膜的方法及装置-CN201610370074.3有效
发明人：贺友华;冯奎;张有沐;王元立;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种从晶片揭除粘膜的方法，包括下列步骤：将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台，所述晶片支撑台包括一个底座和一个容纳晶片的倾斜支撑面；使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起；用一个压片手柄将晶片按压在晶片支撑台上，同时，用镊子将所述粘膜从所述晶片揭除；任选地，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片的支撑台”之后，“使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起”之前，对置于晶片的支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理。还涉及用于从晶片揭除粘膜的装置。
晶片粘膜方法装置

[实用新型]用于轴杆的套筒及包括其的半导体晶片旋转冲洗甩干机-CN201821930578.7有效
发明人：贺友华;王元立;张有沐;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于轴杆的套筒，特别适于安装在半导体晶片旋转冲洗甩干机的轴状档杆上，其包括主体部分，所述主体部分大体上是环形的；突出部，所述突出部附接至所述主体部分，沿着所述主体部分的轴向方向分布且在所述主体部分的周向上延伸弧度α，α为大于5°小于90゜。本实用新型还提供一种半导体晶片旋转冲洗甩干机，其包括上述用于轴杆的套筒，其中所述用于轴杆的套筒的主体部分套装在旋转冲洗甩干机的档杆上，使得所述套筒能够与所述档杆一齐旋转，使突出部在面向晶片的主参考面时与主参考面之间的间隙大于0.1mm但是不超过1.0mm。
套筒甩干机轴杆冲洗半导体晶片突出部档杆本实用新型主参考面向上延伸轴向方向附接晶片轴状

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