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[发明专利]磁场传感器-CN201810454238.X有效
发明人：李大来;蒋乐跃;刘海东 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置‑重置导线组，所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置‑重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本发明的磁场传感器，其设置‑重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置‑重置磁电阻条的磁矩。
磁场传感器

[发明专利]基于I2C协议访问多个从设备、接收数据的方法、计算装置-CN202310700356.5在审
发明人：李兆升;李京;闫国普 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明提供一种基于I2C协议访问多个从设备、接收数据的方法、计算装置。所述方法包括：主设备通过I2C总线发送广播地址；主设备通过I2C总线广播寄存器基地址；主设备通过I2C总线依次广播多个数据包；多个从设备中的每个通过I2C总线接收所述数据包，每检测到一个数据包都会更新自身计数器的计数值，每个从设备根据自己对应的设备编号、I2C总线上的从设备的总个数N以及每个数据包对应的计数值确定当前数据包是否是发送给自己的数据包，将发送给自己的数据包从寄存器基地址开始通过地址自加的方式依次写入该从设备的寄存器中。这样可以在一个I2C的完整通信周期内实现可对多个从设备的寄存器连续写入。
基于 i2c 协议访问设备接收数据方法计算装置

[实用新型]一种单芯片六轴传感器及其加速度计-CN202320169910.7有效
发明人：刘尧;凌方舟;蒋乐跃;苏云鹏 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，所述加速度计包括Z轴加速度计。所述Z轴加速度计包括：Z轴质量块，其内定义有第一空间和第二空间；锚点结构，其位于第一空间内；转轴，其位于第一空间内且平行于X/Y轴放置，转轴连接锚点结构和Z轴质量块，Z轴质量块位于转轴一侧的质量与另一侧的质量不同；空气阻尼单元，其位于第二空间内，其包括第一锚点，连接在第一锚点上的若干固定阻尼梳齿，连接在Z轴质量块上的若干可动阻尼梳齿，固定阻尼梳齿和可动阻尼梳齿呈叉指排布。与现有技术相比，本实用新型通过设计空气阻尼结构，不同刚度的限位器来增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
一种芯片传感器及其加速度计

[实用新型]一种单芯片六轴传感器及其加速度计-CN202320169870.6有效
发明人：刘尧;凌方舟;蒋乐跃;丁希聪 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，Z轴加速度计包括：第一锚点；与第一锚点弹性相连的纵长型的旋转梁；位于旋转梁的第一侧的第一Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于旋转梁的与第一侧相对的第二侧的第二Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于第二Z轴质量块的远离所述旋转梁的一侧的第三Z轴质量块，其与第二Z轴质量块弹性相连；第二Z轴质量块和第一Z轴质量块沿旋转梁做跷跷板式运动，而第三Z轴质量块由第二Z轴质量块带动随第二Z轴质量块一同运动，在第三Z轴质量块的运动被阻挡时，第三Z轴质量块能够相对所述第二Z轴质量块发生扭转。与现有技术相比，本实用新型可以增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
一种芯片传感器及其加速度计

[发明专利]一种单芯片六轴传感器及其加速度计-CN202310096030.6在审
发明人：刘尧;凌方舟;蒋乐跃;丁希聪 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，Z轴加速度计包括：第一锚点；与第一锚点弹性相连的纵长型的旋转梁；位于旋转梁的第一侧的第一Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于旋转梁的与第一侧相对的第二侧的第二Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于第二Z轴质量块的远离所述旋转梁的一侧的第三Z轴质量块，其与第二Z轴质量块弹性相连；第二Z轴质量块和第一Z轴质量块沿旋转梁做跷跷板式运动，而第三Z轴质量块由第二Z轴质量块带动随第二Z轴质量块一同运动，在第三Z轴质量块的运动被阻挡时，第三Z轴质量块能够相对所述第二Z轴质量块发生扭转。与现有技术相比，本发明可以增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
一种芯片传感器及其加速度计

[发明专利]光学图像稳定器的测试系统-CN202211574478.6在审
发明人：张曦军;李妍君;柯亮;林武 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种OIS器件的测试系统，OIS器件包括处理器、信号输入接口、调试接口、模拟信号控制开关、模拟信号输出接口、数字通信接口，OIS器件的测试系统包括OIS测试板，OIS测试板包括：OIS器件载具，其用于安置OIS器件；一个或多个电信号输出接口，其通过OIS器件载具与OIS器件的模拟信号输出接口连接；通信测试单元，其通过OIS器件载具与OIS器件的数字通信接口连接；硬件通信单元，其通过OIS器件载具与OIS器件的调试接口连接。与现有技术相比，本发明用于集成了CPU的OIS器件的测试，灵活性强，兼容多种关键信号的测试，能够有效地指导OIS器件的电路设计改进及生产工艺改进。
光学图像稳定测试系统

[发明专利]异步FIFO存储器-CN202211610144.X在审
发明人：王晓卫;李京;李兆升;缪淦昌 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种异步FIFO存储器，其包括：同步FIFO存储器和异步缓存器。若有写请求则将数据写入所述同步FIFO存储器，所述同步FIFO存储器具有FIFO模式和连续模式，在FIFO模式下不允许写入的数据覆盖已写入的最旧数据，在连续模式下允许写入的数据覆盖已写入的最旧数据。若有读请求则从所述异步缓存器中读出数据，所述异步缓存器缓存从所述同步FIFO存储器读出的数据，所述异步缓存器满后则不允许写入，所述异步缓存器的容量小于所述同步FIFO存储器的容量。这样，节省了存储器的面积，提高了存储器的利用率。
异步 fifo 存储器

[实用新型]一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构-CN202122924452.7有效
发明人：郭亚;刘尧清;刘海东;蒋乐跃 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，所述封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有加速度传感器的驱动电路、第一金属焊盘和第一空腔；第二半导体圆片，其包括位于芯片边缘的固定结构以及位于芯片中间的可移动结构，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，且第一半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第一空腔；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，且第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本实用新型通过将加速度传感器和磁传感器集成到一个封装体内部，从而使产品的集成度更高，加工成本更低。
一种集成加速度传感器封装结构

[发明专利]一种单芯片六轴传感器及其加速度计-CN202310092141.X在审
发明人：刘尧;凌方舟;蒋乐跃;苏云鹏 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，所述加速度计包括Z轴加速度计。所述Z轴加速度计包括：Z轴质量块，其内定义有第一空间和第二空间；锚点结构，其位于第一空间内；转轴，其位于第一空间内且平行于X/Y轴放置，转轴连接锚点结构和Z轴质量块，Z轴质量块位于转轴一侧的质量与另一侧的质量不同，以使Z轴质量块以转轴为轴发生跷跷板式运动；空气阻尼单元，其位于第二空间内，其包括第一锚点，连接在第一锚点上的若干固定阻尼梳齿，连接在Z轴质量块上的若干可动阻尼梳齿，固定阻尼梳齿和可动阻尼梳齿呈叉指排布。与现有技术相比，本发明通过设计空气阻尼结构，不同刚度的限位器来增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
一种芯片传感器及其加速度计

[发明专利]晶圆级陀螺仪微机电系统器件的测试装置-CN202211566290.7在审
发明人：林武;李妍君;柯亮;张曦军 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级陀螺仪微机电系统器件的测试装置，其包括：测试台，其用于承载待测试的晶圆，所述晶圆包括若干陀螺仪MEMS器件；针卡单元，其包括植针部和信号采集单元，所述植针部包括若干探针，所述探针和所述MEMS陀螺仪上的信号焊盘可控制的电连接；所述信号采集单元包括与所述探针电连接的激励信号端口和反馈信号端口；信号处理单元，用于将频率激励源信号通过所述激励信号端口和所述探针提供给所述陀螺仪MEMS器件，采集所述陀螺仪MEMS器件基于接收到的所述频率激励源信号产生的反馈信号，解析所述反馈信号的幅值，并将所述频率激励源信号及反馈信号幅值信息汇总成所述陀螺仪MEMS器件的频率特性数据。
晶圆级陀螺仪微机系统器件测试装置

[发明专利]I3C器件的量产测试系统-CN202211573630.9在审
发明人：张曦军;李妍君;柯亮;林武 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明提供一种I3C器件的量产测试系统，I3C器件为带有I3C接口的MEMS器件，I3C器件的量产测试系统包括量产测试机和FPGA测试板卡，所述FPGA测试板卡包括：测试机接口，其连接于所述FPGA主控单元和所述量产测试机之间；FPGA主控单元，其用于通过所述测试机接口接收所述量产测试机发送的测试启动指令，并执行所述I3C器件的多个项目的测试，以得到每个项目的测试数据，通过所述测试机接口向所述量产测试机发送各个项目的所述测试数据；高速缓冲器，其与所述FPGA主控单元连接，其用于改善经过信号的失真；I3C器件载具，其与所述高速缓冲器连接，其用于放置待测的所述I3C器件。与现有技术相比，本发明能够兼容现有的慢通信时序的量产测试设备，对MEMS器件的高速I3C通信功能进行量产阶段的测试。
i3c 器件量产测试系统

[实用新型]晶圆级陀螺仪微机电系统器件的测试装置-CN202223283658.7有效
发明人：林武;李妍君;柯亮;张曦军 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级陀螺仪微机电系统器件的测试装置，其包括：测试台，其用于承载待测试的晶圆，所述晶圆包括若干陀螺仪MEMS器件；针卡单元，其包括植针部和信号采集单元，所述植针部包括若干探针，所述探针和所述MEMS陀螺仪上的信号焊盘可控制的电连接；所述信号采集单元包括与所述探针电连接的激励信号端口和反馈信号端口；信号处理单元，用于将频率激励源信号通过所述激励信号端口和所述探针提供给所述陀螺仪MEMS器件，采集所述陀螺仪MEMS器件基于接收到的所述频率激励源信号产生的反馈信号，解析所述反馈信号的幅值，并将所述频率激励源信号及反馈信号幅值信息汇总成所述陀螺仪MEMS器件的频率特性数据。
晶圆级陀螺仪微机系统器件测试装置

[实用新型]一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构-CN202223290702.7有效
发明人：郭亚;刘尧青;刘海东;储莉玲 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构，其包括：第一半导体圆片，其正面设置有磁传感器，其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口；第二半导体圆片，其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合，第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器；第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比，本实用新型通过WLP扇出型的封装方式，将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部，一方面可以缩短产品的加工周期，降低了加工成本；另一方面，产品的集成度更高，减小了封装体积，应用前景更广泛。
一种集成惯性传感器封装结构

[发明专利]一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法-CN202211574459.3在审
发明人：郭亚;刘尧青;刘海东;储莉玲 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法，集成惯性传感器和磁传感器的封装结构包括：第一半导体圆片，其正面设置有磁传感器，其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口；第二半导体圆片，其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合，第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器；第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比，本发明通过WLP扇出型的封装方式，将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部，一方面可以缩短产品的加工周期，降低了加工成本；另一方面，产品的集成度更高，减小了封装体积，应用前景更广泛。
一种集成惯性传感器封装结构及其方法

[发明专利]一种相机的音圈马达的驱动装置和方法-CN202111171360.4在审
发明人：邓孝逸;闫国普;查旻罡;蒋乐跃 -专利权人： 美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H02P25/034 文献下载
摘要：本发明提供一种相机的音圈马达的驱动装置和方法，所述驱动装置包括：控制单元，其内存储有时长参数T1、T2和T3，在驱动所述音圈马达时，其根据来自相机的指令中的目标值、存储的时长参数T1、T2和T3计算得到第一段曲线控制信号、第二段曲线控制信号、第三段直线控制信号和第四段直线控制信号，第一段曲线控制信号、第二段曲线控制信号、第三段直线控制信号和第四段直线控制信号组成连续的控制信号，第四段直线控制信号后，所述控制信号为所述目标值。通过对所述目标值进行补偿调整，音圈马达的调节时间(±5％误差范围)缩小到7ms左右，调节时间有了大幅度的减小。
一种相机马达驱动装置方法

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