[发明专利]一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法在审

申请号：	201910831084.6	申请日：	2019-09-04
公开（公告）号：	CN110690315A	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	慕飒米;张少先;刘永;杜明;李侠	申请（专利权）人：	苏州枫桥光电科技有限公司
主分类号：	H01L31/109	分类号：	H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司：	32224 南京纵横知识产权代理有限公司	代理人：	孙敏
地址：	215000 ***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明涉及一种硫化钼‑石墨烯异质结光电导探测器及其异质结的制备方法，包括异质结，所述异质结包括设置在SiO
搜索关键词：	异质结石墨烯光电导探测器二维材料石墨烯层制备光导型探测器异质结界面光电特性金属电极杂质问题衬底层低成本高响应硫化钼
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【主权项】：

1.一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器，包括异质结，其特征在于：所述异质结包括设置在SiO

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单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法-201910850370.7
发明人：胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L31/109
摘要：本发明公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS

一种柔性透明紫外异质结光电传感器及其制备方法-201810182872.2
发明人：张希;林泽洲;曹志鹏;刁东风 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L31/109
摘要：本发明公开一种柔性透明紫外异质结光电传感器及其制备方法，其中，所述光电传感器包括设置在衬底上的N型半导体薄膜和P型半导体薄膜，所述N型半导体薄膜和P型半导体薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述N型半导体薄膜和P型半导体薄膜不重叠的两端分别固定一金属电极。本发明提供的光电传感器结构简单、容易制备、光电响应速度快、光电输出能力高、光电响应范围涵盖紫外光区域，可广泛用于弱光检测、紫外探测等。

一种硅掺杂氮化硼/石墨烯的PN结型紫外探测器制备方法-201810113459.0
发明人：慈立杰;彭瑞芹;王旭天;张琳 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L31/109
摘要：本发明公开了硅掺杂氮化硼与石墨烯构建PN结的紫外探测器及制备方法，包括硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层作为紫外吸收层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层之间形成异质结，硅掺杂氮化硼纳米颗粒层中的硅掺杂氮化硼是氮化硼掺杂硅单质形成的n型半导体氮化硼材料。本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，结合石墨烯本征p型的特质，形成PN结型紫外探测器。该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点，另一方面利用石墨烯极高的载流子迁移率，两者结合可以有效提高器件速度。

一种AlGaN/SiC双色紫外探测器-201920442383.6
发明人：谢峰;杨国锋 -专利权人：南京紫科光电科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/109
摘要：本实用新型公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第二接触电极和透明介质钝化层。本实用新型结合了AlGaN和SiC两种材料体系的优点，基于SiC材料的低的晶格缺陷、高的可见光盲紫外响应度以及与AlGaN材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlGaN层作为日盲探测的吸收层和可见光盲探测的滤波层的设计，实现一种器件两种波段的探测，大大提高了探测器对目标物体的分辨能力。该器件的特点是结构简单、制作工艺与目前的LED工艺兼容，且探测波段可变，有利于进行紫外光谱分析。

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