[发明专利]硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法在审
| 申请号： | 201811020525.6 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN108897150A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 温中泉;陈刚;张智海;梁高峰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/00 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包晓静 |
| 地址： | 400000 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，解决了现有的太赫兹波调控技术存在插入损耗大、调制深度较窄、响应速度较慢和单元串扰大的问题，其技术方案要点是：包括以下步骤：通过光泵浦技术，使硅层产生光生载流子；将所述光生载流子扩散到石墨烯层，使所述硅层与所述石墨烯层之间界面处形成耗尽层；将所述石墨烯层的费米能级升高进入导带；在所述石墨烯层与所述硅层衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层展宽，具有使太赫兹波调控的调制深度增大、响应速度加快、插入损耗降低和单元串扰降低的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯层 太赫兹波 光泵浦 硅层 光生载流子 调控 插入损耗 耗尽层 石墨烯 电控 串扰 硅基 调制 技术方案要点 反向偏压 费米能级 深度增大 响应 界面处 衬底 导带 升高 施加 扩散 | ||
【主权项】：
1.硅基石墨烯的光泵浦电控太赫兹波调控方法，其特征是：包括以下步骤：S1：通过光泵浦技术，使硅层(3)产生光生载流子；S2：将所述光生载流子扩散到石墨烯层(1)，使所述硅层(3)与所述石墨烯层(1)之间界面处形成耗尽层(2)；S3：将所述石墨烯层(1)的费米能级升高进入导带；S4：在所述石墨烯层(1)与所述硅层(3)衬底之间施加反向偏压，使所述耗尽层(2)展宽。
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- 李冰;李营营;严亭 - 中国电子科技集团公司第二十三研究所
- 2017-06-16 - 2017-11-14 - G02F1/015
- 本发明涉及一种基于SOI波导型电光开关的光学双稳态控制系统、控制方法及芯片，利用硅材料的双光子吸收效应来实现光学双稳态控制，实现体积更小、效率更高、功率更小并且易于工艺实现的光学双稳态器件。对于普通SOI波导型电光开关，在输出端利用硅的双光子吸收效应制成一个光电探测器，探测器的输出电流会随着输出光功率的变化而变化，将该探测器输出的电信号通过适当的控制电路送至光开关光功率的控制端，从而构成一个反馈电路，实现光开关的双稳态控制。
- 一种微带线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波调制器-201710480400.0
- 张雅鑫;孙翰;张亭;梁士雄;杨梓强 - 电子科技大学
- 2017-06-22 - 2017-11-10 - G02F1/015
- 本发明提供了一种微带线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波调制器，属于电磁功能器件技术领域。本发明中通过将人工电磁谐振结构与高电子迁移率晶体管相互嵌套的方式实现调制单元结构，在结构中外加电压高速控制晶体管中二维电子气分布从而可形成谐振模式间的高速切换，以实现对太赫兹波高速调制的效果。本发明将微带与调制单元结构结合，减少太赫兹波在器件传输过程中的插损，同时高效的对太赫兹波进行调制，实现99.5％以上的调制深度，同时对太赫兹波的插损小于‑1.5dB，调制速度可达到30Gbps以上。本发明通过运用微细加工技术实现，制备工艺成熟可靠，在太赫兹无线通信、太赫兹波谱技术、太赫兹安检成像等领域具有重要的实际应用价值。
- 光模块-201590000300.8
- 菅谷俊雄;有贺麻衣子 - 古河电气工业株式会社
- 2015-02-12 - 2017-11-10 - G02F1/015
- 一种光模块，具有光元件，以高频进行驱动；电路基板，配置在与光元件不同的高度；及配线用次基台，包含用于将光元件与电路基板电连接的配线，即一端部的连接面的高度与另一端部的连接面的高度不同的配线。
- 基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件-201710598738.6
- 刘正奇;刘桂强;黄镇平;张后交;陈戬 - 江西师范大学
- 2017-07-21 - 2017-11-07 - G02F1/015
- 本发明公开了基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件，属于光电材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层组成，所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。通过引入ITO(氧化铟锡)透明材料实现光能量的有效入射和进入半导体材料以及运用ITO材料膜层本身的高电导特性，实现良好电导特性与良好光吸收特性的半导体光电器件。这种基于半导体结构的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收和宽波段吸收的特点。此外结构中采用的半导体材料便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用开发。
- 一种黑磷光调制器及其制备方法-201710211015.6
- 张晗;陆璐;张家宜 - 深圳大学
- 2017-03-31 - 2017-07-04 - G02F1/015
- 本发明提供了一种黑磷光调制器，包括黑磷光调制器本体、槽型玻片和盖玻片，槽型玻片包括一凹槽，黑磷光调制器本体容置在所述凹槽中，盖玻片覆盖槽型玻片以密封所述凹槽。本发明提供的黑磷光调制器为黑磷提供了稳定的存储环境，有效地解决黑磷容易被氧化的难题，同时本发明黑磷光调制器的结构不同于传统的脊型波导，缩小了光调制器的尺寸，减小了光调制器的体积。本发明还提供了一种黑磷光调制器的制备方法，包括提供槽型玻片和黑磷光调制器本体，槽型玻片包括一凹槽以及与凹槽邻接的上表面，在凹槽中容置黑磷调制器本体；提供盖玻片，在上表面或盖玻片表面涂覆无影胶，将盖玻片覆盖上表面以密封凹槽，固化后，得到黑磷光调制器。
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