[发明专利]基于硅-相变材料混合集成的多级光衰减器在审

专利信息
申请号: 201910119720.2 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN109917565A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 周林杰;张涵予;陆梁军;陈建平;刘娇 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G02F1/015 分类号: G02F1/015;G02B6/12
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于硅‑相变材料混合集成的多级光衰减器,是在绝缘体硅平台上刻蚀形成硅波导,并在硅波导有源区域进行掺杂,形成掺杂硅波导,再在掺杂硅波导顶部的部分区域沉积相变材料层和保护层,结构整体上覆盖一定厚度的上包层,掺杂硅波导的两侧区域通过通孔与位于上包层外的阳极和阴极金属平板相连接构成。相对于传统的热光和电光衰减单元,本发明将相变材料与传统波导相结合构成的基于复合波导的超紧凑型光衰减器,通过控制电脉冲的数量和功率来控制相变材料的相变程度,实现多级光衰减,具有数字式调节、功耗低、集成度高等特点。
搜索关键词: 波导 相变材料 掺杂硅 光衰减器 混合集成 硅波导 上包层 紧凑型光衰减器 控制电脉冲 相变材料层 数字式 阳极 复合波导 结构整体 绝缘体硅 控制相变 两侧区域 区域沉积 衰减单元 阴极金属 集成度 保护层 传统的 光衰减 源区域 电光 功耗 刻蚀 热光 通孔 掺杂 覆盖
【主权项】:
1.一种基于硅‑相变材料混合集成的多级光衰减器,其特征在于绝缘体硅平台包括在本征硅层(1)上的绝缘体层(2)和形成在绝缘体层(2)上的第二本征硅层(3),在第二本征层(3)中形成硅波导(4),在硅波导(4)有源区域进行掺杂,形成掺杂硅波导(5),再在掺杂硅波导(5)的顶部的部分区域沉积相变材料层(6)和保护层(7),相变材料层(6)夹在掺杂硅波导(5)和保护层(7)之间,结构整体上覆盖一定厚度的上包层(8),所述的掺杂硅波导(5)的两侧区域通过通孔(9)与位于所述的上包层(8)外的阳极(+)和阴极(‑)金属平板(10)相连接,在所述的阳极金属平板(10)和阴极金属平板(10)上施加电脉冲形成局部热点,从而诱导相变材料进行相变,硅波导(4)是脊形波导或条形波导,掺杂硅波导(5)的掺杂类型是P型硼掺杂或N型磷掺杂。
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  • 张雅鑫;孙翰;张亭;梁士雄;杨梓强 - 电子科技大学
  • 2017-06-22 - 2017-11-10 - G02F1/015
  • 本发明提供了一种微带线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波调制器,属于电磁功能器件技术领域。本发明中通过将人工电磁谐振结构与高电子迁移率晶体管相互嵌套的方式实现调制单元结构,在结构中外加电压高速控制晶体管中二维电子气分布从而可形成谐振模式间的高速切换,以实现对太赫兹波高速调制的效果。本发明将微带与调制单元结构结合,减少太赫兹波在器件传输过程中的插损,同时高效的对太赫兹波进行调制,实现99.5%以上的调制深度,同时对太赫兹波的插损小于‑1.5dB,调制速度可达到30Gbps以上。本发明通过运用微细加工技术实现,制备工艺成熟可靠,在太赫兹无线通信、太赫兹波谱技术、太赫兹安检成像等领域具有重要的实际应用价值。
  • 基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件-201710598738.6
  • 刘正奇;刘桂强;黄镇平;张后交;陈戬 - 江西师范大学
  • 2017-07-21 - 2017-11-07 - G02F1/015
  • 本发明公开了基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件,属于光电材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层组成,所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。通过引入ITO(氧化铟锡)透明材料实现光能量的有效入射和进入半导体材料以及运用ITO材料膜层本身的高电导特性,实现良好电导特性与良好光吸收特性的半导体光电器件。这种基于半导体结构的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收和宽波段吸收的特点。此外结构中采用的半导体材料便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用开发。
  • 一种黑磷光调制器及其制备方法-201710211015.6
  • 张晗;陆璐;张家宜 - 深圳大学
  • 2017-03-31 - 2017-07-04 - G02F1/015
  • 本发明提供了一种黑磷光调制器,包括黑磷光调制器本体、槽型玻片和盖玻片,槽型玻片包括一凹槽,黑磷光调制器本体容置在所述凹槽中,盖玻片覆盖槽型玻片以密封所述凹槽。本发明提供的黑磷光调制器为黑磷提供了稳定的存储环境,有效地解决黑磷容易被氧化的难题,同时本发明黑磷光调制器的结构不同于传统的脊型波导,缩小了光调制器的尺寸,减小了光调制器的体积。本发明还提供了一种黑磷光调制器的制备方法,包括提供槽型玻片和黑磷光调制器本体,槽型玻片包括一凹槽以及与凹槽邻接的上表面,在凹槽中容置黑磷调制器本体;提供盖玻片,在上表面或盖玻片表面涂覆无影胶,将盖玻片覆盖上表面以密封凹槽,固化后,得到黑磷光调制器。
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