专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于GST相变材料的双功能光学单元及器件-CN202310087679.1有效
  • 姜欢;彭康准;王靖裕;赵韦人 - 广东工业大学
  • 2023-01-18 - 2023-10-27 - G02F1/00
  • 本申请涉及一种基于GST相变材料的双功能光学单元及器件。该基于GST相变材料的双功能光学单元,包括依次层叠设置的金属基底层、中间介质层和功能材料层;功能材料层包括GST相变材料部和金属材料部,GST相变材料部和金属材料部均位于中间介质层的远离金属基底层的表面上,GST相变材料部和金属材料部相接触;GST相变材料部的材料包括Ge2Sb2Te5,GST相变材料部的垂直于厚度方向的横截面为手性结构。该基于GST相变材料的双功能光学单元具有光开关和圆偏振检测双功能,且具有较高的光开关效率及较高的圆偏振检测的效率较高。
  • 基于gst相变材料功能光学单元器件
  • [发明专利]可调光滤波器及其制造方法以及可调光滤波器组件-CN201711160529.X有效
  • 张丽;吴邦嘉;李惠萍 - 菲尼萨公司
  • 2017-11-20 - 2023-10-27 - G02F1/00
  • 公开了一种可调光滤波器及其制造方法以及可调光滤波器组件。该方法可以包括将硅晶片减薄到特定厚度。特定厚度可以基于可调光滤波器的通带频谱。该方法还可以包括使用光学涂层来覆盖硅晶片的表面。光学涂层可以对光信号进行滤波并且可以基于通带频谱。该方法可以另外包括在涂覆的硅晶片上沉积多个热调谐部件。多个热调谐部件可以通过调节涂覆的硅晶片的温度来调节可调光滤波器的通带频率范围。通带频率范围可以在通带频谱内。该方法可以包括将涂覆的硅晶片分成多个硅晶片管芯。每个硅晶片管芯可以包括多个热调谐部件并且可以是可调光滤波器。
  • 调光滤波器及其制造方法以及组件
  • [发明专利]一种光固化温致相变离子凝胶电解质的制备方法及应用-CN202110388905.0有效
  • 王密;张嘉恒;吴昊;李林衡 - 哈尔滨工业大学(深圳)
  • 2021-04-12 - 2023-10-24 - G02F1/00
  • 本发明涉及多功能电解质材料与器件领域,具体涉及一种光固化温致相变离子凝胶电解质的制备方法及应用。一种光固化温致相变离子凝胶电解质的制备方法,包括以下步骤:(1)聚合物单体的合成:将聚合物和二异氰酸酯混合,加入催化剂,在氮气气氛中加热至70~90℃反应1~2.5h后降至40~60℃下加入丙烯酸单体,反应1~2h后终止反应,即得到聚合物单体;(2)光固化温致相变离子凝胶电解质的制备:将聚合物单体与双三氟甲磺酰亚胺盐混合后加入光引发剂,混合均匀后注入模具中,在紫外光照射30s~10min制备得到光固化温致相变离子凝胶电解质。本发明制备的光固化温致相变离子凝胶电解质可应用于热致变色器件、热电双响应器件、储能器件过热保护。
  • 一种光固化相变离子凝胶电解质制备方法应用
  • [发明专利]一种辐射热流调制器件及其应用-CN202110247073.0有效
  • 宋柏;陈群;李启章;何海宇 - 北京大学
  • 2021-03-05 - 2023-09-19 - G02F1/00
  • 本发明涉及一种辐射热流调制器件及其应用,该辐射热流调制器件包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体,其间距为10nm‑10μm;所述第一辐射体设有相变层;所述相变层采用以下两种方式之一设置:悬空设置或覆盖于含孔隙或非金属材料的第一基底上,所述孔隙或非金属材料占所述第一基底的20%(V/V)以上。本发明的技术方案主要利用材料相变前后导致的近场热辐射效应中表面模式强度的差异,从而有效增强了近场辐射热流的调制。
  • 一种辐射热流调制器件及其应用
  • [实用新型]基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器-CN202321125840.1有效
  • 周亚新;高扬;聂思函;李鑫;孙鹏飞;苏丽晶 - 黑龙江大学
  • 2023-05-11 - 2023-09-08 - G02F1/00
  • 本实用新型基于圆筒结构阵列的可调谐红外选择性热发射器属于微纳光电子技术领域;由多个可调控结构单元周期排列构成,太阳光以平面波形式入射,每个可调控结构单元由下到上依次为基底层、缓冲层和天线;基底层和缓冲层的形状为正方形,天线为三层圆筒结构;其结构简单,在3~5μm和8~14μm的大气窗口中,平均发射率分别约为0.20和0.18,在5~8μm的非大气窗口中的平均发射率约为0.80;且不受光源的偏振情况影响,在0°~60°入射角范围内都有较好的发射效果;GST的加入使热发射器不仅能够满足大气窗口低发射率与非大气窗口辐射散热的要求,且可以调谐红外发射率光谱,实现在红外“隐身”和“非隐身”状态之间切换。
  • 基于圆筒结构阵列调谐红外选择性发射器
  • [发明专利]一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器-CN202310439361.5在审
  • 吕业刚;朱红辉;徐培鹏;田野 - 宁波大学
  • 2023-04-23 - 2023-08-29 - G02F1/00
  • 本发明公开了一种基于相变材料的零相移跑道型谐振器,特点是包括脊型波导,脊型波导上设置有相互平行的输入波导和输出波导;脊型波导上且位于输入波导与输出波导之间设置有跑道波导,跑道波导与输入波导之间以及跑道波导与输出波导之间均设置有耦合间距,输入波导的耦合区域设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的相变狭缝结构,相变狭缝结构材料选取为Sb2Se3或者Sb2S3相变材料,脊型波导上设置有用于将相变材料在加热作用下发生晶态和非晶态的可逆相变的PIN二极管,优点是具有零相移、高透射率调谐范围和低插入损耗。
  • 一种基于相变材料相移跑道谐振器
  • [发明专利]一种实现可调谐的高效率圆二色增强装置及其制备方法-CN202310488345.5在审
  • 桑田;李石;杨超钰;骈陲;陆钧剑 - 江南大学
  • 2023-05-04 - 2023-08-25 - G02F1/00
  • 本发明公开了一种实现可调谐的高效率圆二色增强装置及其制备方法,属于微纳光学、光电探测与成像领域。所述装置包括相变材料手性微结构和低折射率材料,手性微结构被低折射率材料包裹。本发明通过对矩形相变材料棒进行几何变化打破结构的镜像对称性和反演对称性,此外通过翻转其中一个矩形相变材料棒打破反演对称性使得连续体束缚态(BIC)转变为准BIC,同时旋转两个矩形相变材料棒使得准BIC转变为手性准BIC,实现高效率圆二色响应。此外,可以通过加热实现圆二色响应超高深度的调谐性能。本发明具有结构简单、高效率圆二色响应和超高的调制深度等优势,在光电探测、药物研发、生物传感、光学成像和光通信等领域具有很好的应用前景。
  • 一种实现调谐高效率圆二色增强装置及其制备方法
  • [发明专利]一种用于光场调制的大规模高效有源超表面器件-CN202310570198.6在审
  • 唐婷婷;何珂;李杰;李朝阳;康同同 - 成都信息工程大学
  • 2023-05-19 - 2023-08-15 - G02F1/00
  • 本发明公开了一种用于光场调制的大规模高效有源超表面器件,其结构包括两种形式,分别为光开关器件和光反射器件,光开关器件包括自下而上依次排布的基底、相变材料薄膜和金属薄膜,相变材料薄膜的厚度小于基底的厚度,且大于金属薄膜的厚度;光反射器件包括自下而上依次排布的基底、相变材料薄膜、介质层和金属薄膜,相变材料薄膜的厚度均大于介质层的厚度和金属薄膜的厚度,且小于基底的厚度,介质层的厚度大于金属薄膜的厚度。本发明采用上述的一种用于光场调制的大规模高效有源超表面器件,解决了现有近红外波段光学器件体积大,透射率低,在波长或者亚波长尺寸上进行光束操纵的性能有限及超表面器件的结构加工困难,传输转化效率低下的问题。
  • 一种用于调制大规模高效有源表面器件
  • [发明专利]一种基于相变材料的红外辐射调控结构-CN202310549957.0在审
  • 谭洪;范泽焕 - 南京理工大学
  • 2023-05-16 - 2023-08-08 - G02F1/00
  • 本发明属于红外热管理技术领域,具体为一种基于相变材料的红外辐射调控结构。该结构从上至下依次包括表面周期性金属光栅阵列、第一介质层氧化铝(Al2O3)薄膜、相变层二氧化钒(VO2)薄膜、第二介质层Al2O3薄膜和底部金属底板。本发明利用VO2的相变性质和金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构相结合,通过调整结构的温度控制VO2的相变状态,进而改变腔深,激发不同的共振机制,达到对红外光谱发射率的调控。本发明结构简单,设计方便,易于制造,具有良好的灵活性。
  • 一种基于相变材料红外辐射调控结构
  • [发明专利]一种中红外电光调制器及其制备方法-CN202310609668.5在审
  • 胡挺;许天琦;钟其泽;董渊;郑少南;邱阳;赵兴岩 - 上海大学
  • 2023-05-26 - 2023-08-04 - G02F1/00
  • 一种中红外电光调制器,包括:硅衬底、埋氧层、掺钪氮化铝槽波导结构、金属接地电极、包覆层、过孔、信号电极;所述埋氧层设置于所述硅衬底之上;所述掺钪氮化铝槽波导结构设置于所述埋氧层之上,所述金属接地电极设置于埋氧层之上;所述包覆层设置于所述埋氧层和所述掺钪氮化铝槽波导结构之上;所述过孔与所述包覆层下方的所述金属接地电极连接;所述信号电极设置于所述包覆层之上,并且位于所述掺钪氮化铝槽波导结构正上方。本发明使用了不同钪掺杂浓度的掺钪氮化铝薄膜;使用槽波导结构实现对中红外波段光场的紧凑限制;使用过孔结构连接放置在包覆层下方的接地电极,此电极结构在波导内创建了一个更好的垂直电场,增大了调制效率。
  • 一种红外电光调制器及其制备方法

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