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[发明专利]一种基于非线性频率转换的红外散斑光谱仪系统和方法-CN202310517998.1在审
发明人：孙艺玮;倪枫超;黄义文;刘海港;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明涉及光谱仪光学系统技术领域，公开了一种基于非线性频率转换的红外散斑光谱仪系统和方法，包括依次连接的红外激光器、非线性频率转换模块、暗箱以及数据处理器，其中：所述红外激光器产生红外激光先经偏振控制器再通过单模光纤传输至掺铒光纤放大器，所述红外激光经所述掺铒光纤放大器功率放大后传输至非线性频率转换模块；所述暗箱包括散射介质、可见光探测器；所述数据处理器使用深度学习网络，对所采集的可见光散斑进行“可见光散斑‑红外光谱”的映射识别。本发明提供的基于非线性频率转换的红外散斑光谱仪系统表现出可靠的识别精度，具有很强的抗噪声鲁棒性；具有成本低、体积小等特点。
一种基于非线性频率转换红外光谱仪系统方法

[发明专利]一种非线性传输矩阵测量装置及方法-CN202310109079.0在审
发明人： 倪枫超;刘海港;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及非线性光学领域，公开了一种非线性传输矩阵测量装置及方法，包括包括：第一激光器、第一半波片、第一凸透镜、第二凸透镜、第一反射镜、第二激光器、第二半波片、第三凸透镜、第四凸透镜、空间光调制器、第二反射镜、第一二向色镜、第二二向色镜、物镜、二阶非线性散射介质、第三反射镜、滤光片、第五凸透镜和CCD相机。本发明将传统的传输矩阵方法从线性光学推广到了非线性光学领域，实现了对入射到散射介质中的基频光场与出射的非线性散射光场之间传输矩阵的精确求解和测量。通过非线性传输矩阵可以实现对非线性谐波的任意调控，相较于反馈算法，非线性传输矩阵方法可减少时间消耗且可实现不同调控需求的快速切换。
一种非线性传输矩阵测量装置方法

[发明专利]基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器及装置-CN201711461355.0有效
发明人：黄旭光;倪枫超;马棋昌;谢泽韬;陶金 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器，包括掺杂硅层、分别设置在掺杂硅层上表面和下表面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层、分别设置在第一二氧化硅层上表面的第一石墨烯纳米带和设置在第二二氧化硅层下表面的第二石墨烯纳米带，以及分别设置在第一石墨烯纳米带和第二石墨烯纳米带上的第一金属电极和第二金属电极。
基于异面双石墨纳米调光衰减器装置

[发明专利]高速相位型一维空间光调制器及方法-CN202010684952.5在审
发明人：叶烜超;刘海港;郑远林;倪枫超;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种高速相位型一维空间光调制器及方法，包括金属电极包覆的铌酸锂晶体、带有电极的电路板支撑底座以及用于连接电极的金属线；金属电极包覆的铌酸锂晶体包括：由内而外依次设置于铌酸锂晶体外侧的二氧化硅沉积层以及金属电极层，金属电极层设有铬粘合层和金电极层，位于铌酸锂晶体上表面的金属电极层为多通道一维阵列结构，位于铌酸锂晶体下表面的金属电极层为调制器整块地电极。当光束从铌酸锂晶体侧面入射到铌酸锂中，同时向电路板支撑底座上施加驱动电压，利用晶体电光效应，铌酸锂晶体折射率将根据所加电压信号而变化，从而使得不同像素电极处出射的激光相位也随之相应改变。本发明以百微米厚度铌酸锂晶体为基底，利用电光效应实现光的相位在一维方向高速调制。
高速相位型一维空间调制器方法

[实用新型]基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器-CN201820289503.9有效
发明人：谢泽韬;倪枫超;马棋昌;赵官文;黄旭光;陶金 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器，包括金属电极、二氧化硅层、掺杂硅层、多条石墨烯纳米带和多片方形石墨烯片；其中二氧化硅层设置在掺杂硅层上，二氧化硅层的底面与掺杂硅层的顶面紧贴；多条石墨烯纳米带从左到右依次设置在二氧化硅层的顶面上，石墨烯纳米带之间为平行设置；多片方形石墨烯片设置在二氧化硅层的顶面上，其设置位置位于相邻的两条石墨烯纳米带之间，金属电极设置在二氧化硅层的顶面上，其设置方向与石墨烯纳米带的设置方向相垂直，金属电极与石墨烯纳米带电连接。
石墨烯二氧化硅层纳米带掺杂硅层金属电极折射率传感器表面结构方形石墨多片本实用新型平行设置设置位置依次设置带电底面顶面紧贴垂直协调

[实用新型]基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器及装置-CN201721877610.5有效
发明人： 倪枫超;马棋昌;谢泽韬;陶金;黄旭光 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于异面双石墨烯纳米带的可调光衰减器，包括掺杂硅层、分别设置在掺杂硅层上表面和下表面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层、分别设置在第一二氧化硅层上表面的第一石墨烯纳米带和设置在第二二氧化硅层下表面的第二石墨烯纳米带，以及分别设置在第一石墨烯纳米带和第二石墨烯纳米带上的第一金属电极和第二金属电极。
纳米带石墨烯二氧化硅层可调光衰减器掺杂硅层金属电极上表面下表面异面本实用新型