[发明专利]一种设备前端模块及生产线在审
| 申请号： | 201810531923.8 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110581055A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈健健;姚立强;陆涛;田洪生;赵兵权 | 申请（专利权）人： | 深圳市永盛隆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11662 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 518112 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种设备前端模块及生产线，其中设备前端模块包括：设置在卸载腔室和装载腔室之间的清洗腔室；所述清洗腔室的第一端与所述卸载腔室的一端相连，第二端与所述装载腔室的一端相连；所述清洗腔室用于清洗从所述卸载腔室输出的载体，以及将清洗后的载体输送至所述装载腔室。该设备前端模块能够对载体自清洗时，不需要水洗烘干、也不需要取出载体破坏设备内的真空状态；严格保证进入下一步工艺加工腔室的载体微粒含量达标，从而减少其对下一步工艺的影响，提高成品率；且经过自清洗后的载体可以连续使用，不必经常拿出去保养，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 设备前端模块 清洗腔室 卸载腔室 装载腔室 一步工艺 自清洗 清洗 半导体领域 加工腔室 破坏设备 生产效率 载体微粒 真空状态 成品率 第一端 烘干 保养 取出 输出 达标 保证 | ||
【主权项】：
1.一种设备前端模块，其特征在于，包括：设置在卸载腔室和装载腔室之间的清洗腔室；/n所述清洗腔室的第一端与所述卸载腔室的一端相连，所述清洗腔室的第二端与所述装载腔室的一端相连；/n所述清洗腔室用于清洗从所述卸载腔室输出的载体，以及将清洗后的载体输送至所述装载腔室。/n
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- S·韦尔施;C·韦伯;A·拜尔 - 硅电子股份公司
- 2018-06-05 - 2020-02-07 - H01L21/02
- 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，所述方法包括三个处理操作，即第一抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行双面抛光，然后是第二抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行化学机械抛光，然后是涂覆操作，其中对所述半导体晶片(600)进行外延沉积一个层，其中，所述三个处理操作中的每一个处理操作的至少一个操作参数在相应的处理操作中进行限定，具体地基于以下：基于在待处理的所述半导体晶片上确定的至少一个晶片参数；基于进行所述相应处理操作的处理装置的实际状态；和基于经历所述三个处理操作后对表征平坦度的晶片参数的状态的优化，而不是基于所述三个处理操作的每个处理步骤后对这些晶片参数的状态的优化。
- 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-201910585494.7
- 堀田英树;四谷达也;尾崎贵志 - 株式会社国际电气
- 2019-07-01 - 2020-02-04 - H01L21/02
- 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为对在衬底上形成的氧氮化膜的氮浓度及折射率中的至少任一者进行控制。解决手段为：具有将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成氧氮化膜的工序：(a)从原料供给部对衬底供给原料的工序、(b)从氧化剂供给部对衬底供给氧化剂的工序和(c)从氮化剂供给部对衬底供给氮化剂的工序，在(b)中，从与氧化剂供给部不同的非活性气体供给部对衬底供给非活性气体，并对该非活性气体的流量进行控制，由此对形成于衬底上的氧氮化膜的氮浓度及折射率中的至少任一者进行调整。
- 一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺-201910827440.7
- 宋淀垣;陈李彪;谢斌辉;萧尊贺 - 福建晶安光电有限公司
- 2019-09-03 - 2020-02-04 - H01L21/02
- 本发明公开了一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺，其特征在于：具体步骤如下：(1)第一次清洗，将晶片放入超声波清洗槽里；(2)第一次研磨，将清洗干净的晶片放入研磨机中，加入研磨液；(3)第二次清洗，将第一次研磨后的晶片放入超声波清洗槽内，加入清洗液，超声震洗15min；(4)退火，将晶片放入退火室，使用快速升温降温炉采用1150°的高温持续30min的退火，而后调整温度使其降至室温；(5)第二次研磨，将退火后的晶片固定在陶瓷盘上，放入研磨机。采用上述方案后，本发明提供的一种提升蓝宝石衬底平坦度的工艺，通过调整研磨过程中上下盘的转速比，使得晶片上面移除量趋于一致以达到最佳修复性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
