[发明专利]半导体装置以及功率放大器模块在审
| 申请号： | 201810261605.4 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108735698A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 大部功;梅本康成;柴田雅博;那仓健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L27/06;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 半导体装置 电路元件 化合物半导体 金属材料 接合焊盘 基板 功率放大器模块 局部重叠 增大的 芯片 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：电路元件，形成在包含化合物半导体的基板上；和接合焊盘，在所述电路元件上，被配置为与所述电路元件至少局部重叠，所述接合焊盘包含第1金属膜以及形成于所述第1金属膜上的第2金属膜，所述第2金属膜的金属材料的杨氏模量比所述第1金属膜的金属材料的杨氏模量大。
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