[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

申请号：	201910576377.4	申请日：	2019-06-28
公开（公告）号：	CN110690119A	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	原田健司;曾根田真也	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L23/488;H01L21/329;H01L29/861
代理公司：	11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人：	何立波;张天舒
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供一种能够提高半导体装置的耐久性的技术。半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。
搜索关键词：	金属膜防氧化焊料接合半导体装置电极衬底半导体俯视观察焊料层
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种半导体装置，具备：/n半导体衬底；/n所述半导体衬底之上的电极；/n所述电极之上的焊料接合用金属膜；/n所述焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜；以及/n所述防氧化用金属膜之上的焊料层，/n在从所述防氧化用金属膜侧俯视观察所述焊料接合用金属膜及所述防氧化用金属膜时，所述焊料接合用金属膜具有不与所述防氧化用金属膜重叠的第1部分。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910576377.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：非晶铟镓氧化锌薄膜晶体管及其制造方法
下一篇：烧结封装MOS芯片双向开关电子模块及其制作方法

同类专利

用于晶片芯片尺度封装的印刷式再钝化-201910705966.8
发明人：小松大贵;涩谷诚;严一;阮豪;阮刘青;阿宁迪亚·波达尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本申请案的实施例涉及用于晶片芯片尺度封装的印刷式再钝化。所描述实例提供集成电路和方法(200)，其包含：至少部分地在晶片(120)的导电特征(119)上方形成(208)导电晶种层(124)；在所述导电晶种层(124)的至少一部分上形成(214)导电结构(126)；执行(220)印刷过程(800)，其在所述晶片(120)的侧部上靠近所述导电结构(126)的侧部处形成聚合材料(128)；固化(220、224)所述沉积的聚合材料(128)；和将焊球结构(130)附接到所述导电结构(126)的侧部。

具有嵌入迹线的基板-201910711120.5
发明人： T·尤林;奇·森格·富恩格 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本公开涉及具有嵌入迹线的基板。本文中提供一种具有一或多个嵌入迹线的基板和一种用于制造一或多个嵌入迹线的方法的实施例。所述方法包括：在基板的第一主表面上形成凸块，所述凸块具有从所述第一主表面到所述凸块的顶部表面测量的高度；形成迹线，所述迹线包括与所述第一主表面直接接触的下部迹线部分、与所述凸块的至少一个侧壁直接接触的侧壁迹线部分和与所述凸块的所述顶部表面直接接触的上部迹线部分；在所述迹线上方沉积毯状介电层；和蚀刻掉所述毯状介电层的顶部部分以暴露所述上部迹线部分的顶部表面。

一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法-201911105268.0
发明人：朱文辉;黄强;吴厚亚;李祉怡 -专利权人：中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明提供了一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法，包括先将底填料放置于模具中，进行烘烤固化，脱模后得到底填料模板；在所得底填料模板表面刻蚀通孔，得到底填料预制板；在底填料预制板的通孔内沉积金属铜，形成带微凸点的底填料预制板；将基板与带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放，用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。本发明提供的互连结构的底填方法解决了高密度微凸点封装中底填困难的问题，即解决了传统底填技术底填胶难以填满整个芯片微凸点之间的缝隙的问题，满足三维集成封装技术中以高密度凸点互连为核心的发展趋势，封装结构可靠性高。

一种制造曲面集成电路的电流体喷印刻蚀方法-201811011385.6
发明人：黄永安;朱慧;吴昊;尹浪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明属于曲面集成电路制造相关技术领域，其公开了一种制造曲面集成电路的电流体喷印刻蚀方法，该方法包括以下步骤：(1)制定曲面集成电路的平面电路图并进行分区；(2)将平面电路图布置到曲面基板三维模型上，以得到曲面集成设计电路；(3)对镀膜后的曲面基板进行扫描以识别及获取曲面基板的点云数据，进而得到曲面基板三维模型；(4)将曲面集成设计电路布置到新曲面基板三维模型上，以得到喷印图案；(5)生成喷印轨迹的代码，进而得到运动代码；(6)共形喷印设备执行运动代码以进行共形喷印，并将喷印后的曲面基板进行刻蚀以得到曲面喷印电路；(7)贴装芯片以得到曲面集成电路。本发明提高了集成度，适用性较好，制造精度高。

一种扇出的封装结构及其封装方法-201611215665.X
发明人：沈海军 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明提供了一种扇出的封装结构及其封装方法，该封装方法包括步骤：在基板一侧形成传导层，所述传导层包括导电体，所述导电体两端各暴露于所述传导层两相背表面；在所述传导层背对于所述基板的一侧设置倒装芯片，所述倒装芯片连接所述导电体；对所述传导层以及所述倒装芯片进行塑封。相对于现有技术，本发明提供的扇出封装结构及其封装方法，首先将线路(包括再布线图案以及导电柱等)形成，然后将芯片倒装在线路上，该种封装方式解决了现有技术中由于先贴合芯片，然后再向上引线，导致芯片再布线工艺困难的技术问题，本发明中提供的封装方法可以适用于不同类型芯片的封装。

一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺-201711462894.6
发明人：成军;陈庆伟;赵龙飞;牟俊强;周朝峰 -专利权人：天水华天机械有限公司;天水华天科技股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明高可靠性引线框架加工工艺为，先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗、银面处理、银保护工序处理后即得。本发明加工工艺通过对引线框架上铜面和和银面的处理，增大了封装过程中塑封料和底材的结合力，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；经过多次的生产线验证，封装后集成电路可以100%通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。

一种新型引线框架蚀刻设备-201921000622.9
发明人：刘帅帅;王一朝 -专利权人：天水迈格智能设备有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型涉及引线框架蚀刻设备领域，公开一种新型引线框架蚀刻设备，包括箱体，箱体上设有进料口、出料口，进料口、出料口的横向中心线一致，箱体外壁分别固定设有用于进料口、出料口输送材料的进料辊组、出料辊组，箱体内设有管道装置，管道装置上设有两个横向中心线一致的第一通管，第一通管上通过卡箍管件连接有斜流管，斜流管的工作端固定设有喷头一，喷头一内并列设有与外界连通的第一喷槽、第二喷槽、第三喷槽，进料辊组与出料辊组的输送线与喷头一平行。本实用新型解决了现有的喷射蚀刻设备存在喷射位置不准确，容易使蚀刻中的引线框架出现蚀刻不均匀的问题。

精密金属支架结构-201921253230.3
发明人：李国华 -专利权人：洪捷实业股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型是一种精密金属支架结构，其可作为发光二极管支架或晶片导线架，主要包括：绝缘片、金属箔及绝缘层，其中绝缘片上形成至少一个开孔，金属箔第一表面与绝缘片由黏着层压合黏着固定，位于开孔处的金属箔形成第一接点，另外金属箔第二表面以蚀刻方式形成至少一条导线与至少一形成于部分导线的第二接点，绝缘层则形成于金属箔第二表面，至少一导线上的第二接点外露绝缘层，借此，采用绝缘片及金属箔蚀刻取代了传统冲压方式来形成导线架或LED金属支架。除了可以减少导线架或LED金属支架在后续制程上的失误发生外，还可省去开发导线架或LED金属支架的精密模具成本。

芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件-201911053347.1
发明人：赵源;周涛;郭函;曹流圣 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本申请提供一种芯片封装的方法，能够降低封装成本和时间。该方法包括：在基板上制作开孔；将芯片嵌埋至所述开孔内；在所述基板的第一表面，制作用于对所述芯片进行散热的金属层；在所述基板的第二表面，制作PID层；在所述PID层上，制作至少一个布线层。

一种周长毫米级元件共晶焊接装置及焊接方法-201810940681.8
发明人：李寿胜;夏俊生;臧子昂 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开一种周长毫米级元件共晶焊接装置，包括底板，底板板面设有一组矩形定位槽，矩形定位槽包含相连通构成阶梯槽的上定位槽与下定位槽，下定位槽用于容置陶瓷基板；所述焊接装置还包括定位板与压板，定位板能够嵌设于上定位槽内，定位板板面一组定位孔，定位孔按照待焊接元件的位置分布；所述压板底面设有一组压块，压块与定位孔一一对应配合；通过预处理、焊片的取用、基板放置、待焊接元件放置、共晶烧结、取件、键合过渡片放置、键合过渡片共晶烧结、取件及清洗步骤即完成共晶焊接；本发明实现焊接后所有键合过渡片或半导体管芯平整，高度一致，满足焊接检验和键合工艺要求，提高粗丝键合成品率。

一种半导体引线框架生产用放卷装置-201920951310.X
发明人：曾尚文;陈久元;杨利明 -专利权人：四川富美达微电子有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型公开了一种半导体引线框架生产用放卷装置，包括用于放置金属带卷的放置架，放置架设有用于放置架上金属带卷升降的放卷机构。本实用新型能够实现金属带卷的自动上卷，降低操作人员的工作强度，提高了金属带卷的上卷速度，提高了金属带卷切片效率，从而提高了半导体引线框架的生产效率，具有较强可靠性和实用性。

一种半导体铜制引线框架制备铜卷放置用卷芯-201920951881.3
发明人：曾尚文;陈久元;杨利明 -专利权人：四川富美达微电子有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型公开了一种半导体铜制引线框架制备铜卷放置用卷芯，包括：卷芯杆，其两端均设有呈圆周阵列的凹槽，凹槽外侧端开口；导杆，设于凹槽内，且一端固定于凹槽内壁，另一端伸出凹槽并在该端部处形成有端帽；卡板，穿于导杆，用于对与卡板内壁接触的物件进行限位；弹簧，穿于导杆，且一端与端帽内壁抵接，另一端与卡板外壁抵接；当卡板在外力驱使下向端帽方向移动至凹槽外时，可通过卡板转动使卡板内壁与卷芯杆端面抵接以保持对弹簧的压紧。本实用新型能够根据铜卷内空心的大小相适应地进行调整卷芯，能够在铜卷输送时，对铜卷的两侧边进行限位，防止出现铜带偏斜，而降低铜带切片的效率，方便将卷芯穿于铜卷的空心处，具有较强的实用性。

N形微电子微连接深腔焊劈刀-201921006039.9
发明人：杨强 -专利权人：成都精蓉创科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型公开了一种N形微电子微连接深腔焊劈刀，包括呈圆柱状的劈刀主体，该劈刀主体的一端为呈棱台状的焊接端，焊接端的端面上沿该劈刀主体的长度方向开设有台阶状的缺角，剩余所述焊接端的端面为焊接端面，焊接端面上设有球缺形通槽，所述劈刀主体的另一端面上沿该劈刀主体的长度方向朝劈刀主体内开设有呈柱形的第一穿丝孔，缺角与焊接端面未相邻的第一侧面上开设有与所述第一穿丝孔同轴且呈柱形的第二穿丝孔，劈刀主体内还设有连接第一穿丝孔和第二穿丝孔的过渡孔，过渡孔以中心轴线所在平面分隔成两个半环壁，本实用新型结构简单，设计合理，特别是过渡孔与第一穿丝孔和第二穿丝孔的配合使金丝能在两孔之间顺滑过渡，穿丝效果更好。

芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件-201911053263.8
发明人：赵源;周涛;郭函;曹流圣 -专利权人：北京比特大陆科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本申请提供一种芯片封装的方法，能够高效地对高密度集成的芯片进行封装。该方法包括：在基板上制作开孔；将芯片嵌埋至所述开孔内；在所述基板的第一表面，制作用于对所述芯片进行散热的金属层，其中，所述金属层覆盖所述基板和所述芯片的表面；在所述基板的第二表面，制作至少一个布线层。

一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法-201911119080.1
发明人：周云燕;宗小雪;楚姣;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：第一转接板；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。

金属-陶瓷复合衬底的制造方法及其制造的复合衬底-201710736581.9
发明人：钱建波;孙林;袁超;于岩;王顾峰;聂朝轩;王太保;黄世东;胡士刚 -专利权人：浙江德汇电子陶瓷有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/48
摘要：金属‑陶瓷复合衬底的制造方法及其制造的复合衬底，属于陶瓷金属化技术领域。包括如下步骤：在陶瓷基板的表面形成第一钎焊料层，第一钎焊料层为铜、银和活性金属钎焊料层。在第一钎焊料层的表面形成第二钎焊料层，第二钎焊料层为铜和银钎焊料层。在第二钎焊料层的表面形成铜层。真空烧结金属‑陶瓷复合衬底前体。此制造方法在真空烧结的时候，第一钎焊料层的活性金属与陶瓷发生反应，结合力高，耐热冲击性强。第二钎焊料层的铜和银与铜箔发生共晶反应，其与铜箔的结合紧密，同时，由于采用两层钎焊料，一方面降低了银含量，成本更低，另一方面降低了活性金属含量，降低了电气阻抗，金属‑陶瓷复合衬底的耐高压、耐大电流的性能更强。

一种导通型双界面IC智能卡载带直接封装的生产工艺-201910855021.4
发明人：吴灏;马兴光;刘明箭;陈凯;朱晓斌 -专利权人：黄石市星光电子有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种导通型双界面IC智能卡载带直接封装的生产工艺，包括以下步骤：先取消焊接面导线，再冲孔、覆铜、烘烤蚀刻、孔壁导通、压膜、加入焊盘、双面曝光、DES、中检、电镀、分切、成检以及出货；本发明涉及的生产工艺通过将原有焊接面的所有导线可以全部取消，在成本上面可以直接下降20％‑25％的成本，改为卷状的生产工艺，卷状的生产工艺对表面镀层的一致性能够提高，表面没有水印、磨花的现象对产品表面的品质能够得到保证，效率可以直接提高30％左右，利用孔连接导线位置，焊接面空进行增加焊盘的工艺，同时可以进行双面曝光，完全可以不用两面线路单独生产的工艺流程。

基础电路板制作工艺及基础电路板-201911145198.1
发明人：邹时月 -专利权人：邹时月
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明涉及基础电路板制作工艺及基础电路板，包括：封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔，芯片焊盘的上部焊接硅芯片，封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫；在陶瓷基板上制作铜垫卡槽和卡接铜柱，封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔，卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95％～99％，卡接铜柱与卡接孔装配，散热铜垫位于铜垫卡槽内，散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3～20μm的间隙；通过镀铜工艺，填充散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间的间隙，同时填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙，实现封装基板与陶瓷基板的装配，封装基板充当中介，利用电镀铜工艺实现芯片与陶瓷基板的散热铜垫卡槽一体化连接，能够大大提高散热效率。

一种二极管换向加工装置-201920093559.1
发明人：陈创;高萌 -专利权人：徐州市晨创电子科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本实用新型公开了一种二极管换向加工装置，包括支架、支撑平台和液压杆，所述支架支撑平台上端设有支架，所述支撑平台下端对称设有支撑腿，所述支架顶端设有液压杆，且液压杆下端连接升降平台，所述升降平台上端设有电机，且电机连接传动轴，本二极管换向加工装置中，通过液压杆调节升降平台的高度，使切割刀贴合引脚，启动电机，传动轴转动，主动轮通过传动带带动从动轮转动，使转动杆转动，此时切割刀对引脚进行切割，传送带运动，使切割后的二极管位于压辊装置下方，第一压辊将二极管固定，第二压辊使引脚弯曲，从而实现引脚的换向，此结构简单，操作方便，能实现引脚切割的同时，完成换向，提高了生产加工效率。

电子装置和半导体封装结构的制造方法-201910480090.1
发明人：方绪南;陈建庆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：一种电子装置包括绝缘层、金属层和至少一个电连接元件。所述绝缘层具有顶面和与所述顶面相对的底面，并且界定开口，所述开口延伸于所述顶面和所述底面之间。所述金属层设置于所述绝缘层的所述开口中，并且具有顶面和与所述顶面相对的底面。所述金属层的所述底面与所述绝缘层的所述底面实质上共平面。所述电连接元件通过晶种层附接到所述金属层的所述底面。

导热性片的制造方法-201910625010.7
发明人：荒卷庆辅;户端真理奈 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本申请涉及导热性片的制造方法。本发明的课题是提供使粘合剂树脂的未固化成分高效地渗出至成型体片的表面，提高了密合性的导热性片的制造方法。作为解决本发明课题的方法，提供一种导热性片的制造方法，其包括下述工序：使在粘合剂树脂中含有导热性填料的导热性树脂组合物成型成预定的形状并固化，形成导热性成型体的工序，将上述导热性成型体切削成片状，形成成型体片的工序，以及在减压环境下将上述成型体片进行压制，从而利用从上述成型体片的片主体渗出的上述粘合剂树脂的未固化成分来被覆上述成型体片的表面的工序。

导热性片的制造方法-201910625646.1
发明人：荒卷庆辅;户端真理奈;久保佑介 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明涉及导热性片的制造方法。本发明的课题是提供通过对导热性片的一面赋予粘着性，对另一面赋予非粘着性，从而提高作业性和再加工性的导热性片的制造方法。本发明的导热性片的制造方法包括下述工序：使在粘合剂树脂中含有导热性填料的导热性树脂组合物成型成预定的形状并固化，形成导热性成型体的工序，将导热性成型体切削成片状，形成成型体片的工序，在成型体片的两面粘贴剥离膜，将成型体片进行压制，从而利用从成型体片的片主体渗出的粘合剂树脂的未固化成分来被覆成型体片的两面，赋予粘着性的工序，从成型体片的一面剥离剥离膜，从一面除去粘合剂树脂的未固化成分，赋予非粘着性的工序，以及在一面粘贴新的剥离膜的工序。

一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺-201910854338.6
发明人：吴灏;马兴光;刘明箭;陈凯;朱晓斌 -专利权人：黄石市星光电子有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种导通型双界面IC智能卡载带的生产工艺，包括以下步骤：取消导线、冲孔、覆铜、烘烤蚀刻、孔壁联通、增加焊盘、压膜、双面曝光、DES、电镀、分切、成检以及出货；该工艺通过增加6个孔位，采用冲孔的方式，再采用黑孔或水平沉铜的方式将上下两面联通，焊接面的导线就可以完全取消不用，节省电金金盐的成本；邦线位置可以由原来的孔内邦线转移到焊盘位置邦线，在客户自己邦线的距离可以拉近，使用金线或合金线的距离要短，成本得到下降。

一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法-201910904817.4
发明人：郁发新;冯光建;王志宇;张兵;周琪 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，具体包括如下步骤：101)转接板制作步骤、102)底板制作步骤、103)键合步骤、104)芯片安置步骤；本发明通过在芯片底部设置导热金属或者导热管道，使热量能够快速的导到散热底座中，然后通过在散热底座中设置多层微流道液相散热通道，散热通道中冷却液采用不同的流动方向运动，以此来平衡不同层别以及不同芯片一侧的微流道中液体的温度，使微流道在芯片底部的散热能力趋于一致的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法。

引线框制造工艺-201710709326.5
发明人：林英洪 -专利权人：林英洪
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/48
摘要：引线框制造工艺，涉及引线框技术领域，包括以下步骤：线路转移：根据引线框的线路设计，在基材表面制成抗蚀刻、抗电镀的保护层，保护层覆盖基材的不需要被电镀且不需要被蚀刻的区域，以露出基材的需要被电镀的区域和需要被蚀刻的区域；电镀保护：在基材的需要被蚀刻的区域制成抗电镀的电镀遮挡层，电镀遮挡层覆盖基材的需要被蚀刻的区域；电镀：对基材的需要被电镀的区域进行电镀以形成覆盖该区域的抗蚀刻的电镀层；显蚀刻区域：从基材上剥离电镀遮挡层；蚀刻：对基材的需要被蚀刻的区域进行蚀刻。

半导体封装引线的选择性镀敷-201910639898.X
发明人： S·阿布德哈米德;J·克里希南;M·M·林;J·纳拉亚纳萨米;F·施诺伊;T·施特克;C·施廷普福 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体封装，所述半导体封装包括电绝缘模制化合物主体、由所述模制化合物主体包封的半导体管芯、多个导电引线、以及金属散热片，其中所述多个导电引线中的每者从所述模制化合物主体突出，所述金属散热片包括从所述模制化合物主体暴露的后表面；利用金属涂层涂覆所述引线的从所述模制化合物主体暴露的外部部分；以及在完成所述引线的所述外部部分的涂覆之后，在所述半导体器件上提供平面金属散热器界面表面，所述平面金属散热器界面表面：从所述模制化合物主体暴露；以及基本上没有所述金属涂层。

一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法-201910904843.7
发明人：郁发新;冯光建;王志宇;张兵;周琪 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明公开了一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法，具体包括如下步骤：101)标尺制作步骤、102)TSV孔制作步骤、103)键合步骤；本发明提供能满足多种液体流速需求的一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法。

半导体装置及半导体装置的制造方法-201910576377.4
发明人：原田健司;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：提供一种能够提高半导体装置的耐久性的技术。半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。

焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法-201910965053.X
发明人：王春林;邹文;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明提供了一种焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法，所述焊盘的保护方法包括：提供一具有焊盘的晶圆；形成保护层至少覆盖于所述焊盘的表面上，以在需要将所述焊盘向外引出之前保护所述焊盘，所述保护层的材质为能被预设溶剂溶解的可溶性材料；以及，在需要将所述焊盘向外引出时，采用所述预设溶剂去除所述保护层，以重新暴露出所述焊盘。本发明的技术方案避免所述焊盘上产生杂质缺陷，进而避免导致在将所述焊盘向外引出时的焊接不良，从而避免导致封装产品的不良。

具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装-201911093393.4
发明人：罗得之;邓添禧;S·小佩德荣;S·西里诺拉库尔 -专利权人：联测总部私人有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/48
摘要：本发明的实施例是针对于一种具有裸片附接焊盘锁定特征的热无引线阵列封装及其制造方法。对铜层的两个表面进行半蚀刻以界定封装接触阵列和裸片附接焊盘。为了实现更佳的可靠性，将每个裸片附接焊盘完全嵌入密封材料以提供良好的机械锁定特征。在一些实施例中，所述接触包括四个有源拐角接触。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利文献下载