[发明专利]半导体装置以及功率放大器模块

说明书

本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及功率放大器模块。

背景技术

在下述的专利文献1以及专利文献2中，公开了使用异质结双极晶体管(HBT)的高频放大模块用的半导体装置。在该半导体装置设置有HBT保护用的保护电路。保护电路在静电等的过电压被施加于HBT的情况下，防止HBT的破坏。保护电路具有将多个二极管串联连接的电路结构，被连接于HBT的集电极与发射极之间。

在下述的专利文献3中，公开了在布线或者有源元件上形成有电极焊盘的半导体装置。用于在接合时保护布线或者有源元件的突起电极形成于电极焊盘(接合焊盘)的表面上。突起电极在将电极焊盘的表面上的Al置换为可与Ni产生置换反应的Zn之后，通过在电极焊盘的表面对NiP进行非电解镀而形成。记载了除了NiP，也可以使用能进行非电解镀的Cu系金属。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2005-236259号公报

专利文献2：国际公开第2001/018865号

专利文献3：特开2000-164623号公报

在专利文献1以及专利文献2中公开的半导体装置中，必须将用于配置构成保护电路的多个二极管的区域确保在半导体基板上。因此，芯片面积变大。芯片面积的增大使得化合物半导体装置的低成本化的实现变得困难。

如专利文献3中公开的半导体装置那样，通过在布线或者有源元件上配置接合焊盘(bonding pad)，能够抑制芯片面积的增大。在硅系半导体工艺中，对布线、接合焊盘使用了Al，但在化合物半导体工艺中，通常对布线、接合焊盘不使用Al。因此，难以将专利文献3中公开的技术直接应用于化合物半导体工艺。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。本发明的另一目的在于，提供一种使用了该半导体装置的功率放大器模块。

基于本发明的第1观点的半导体装置具有：

电路元件，形成在包含化合物半导体的基板上；和

接合焊盘，在所述电路元件上，被配置为与所述电路元件至少局部重叠，

所述接合焊盘包含第1金属膜以及形成于所述第1金属膜上的第2金属膜，所述第2金属膜的金属材料的杨氏模量比所述第1金属膜的金属材料的杨氏模量大。

由于电路元件与接合焊盘被配置为局部重叠，因此不需要确保用于配置接合焊盘的专用区域。由此，能够抑制芯片面积的增大。通过第2金属膜作为应力分散板而发挥作用，能够使接合时在电路元件产生的应力分散，抑制电路元件的破损。

基于本发明的第2观点的半导体装置除了基于第1观点的半导体装置的结构，还具有以下特征：所述接合焊盘进一步包含形成于所述第2金属膜上的第3金属膜，所述第3金属膜由与所述第1金属膜相同的金属材料形成。

作为第3金属膜，能够使用与接合线的接触电阻低的金属材料。与接合线直接接合于第2金属膜的情况相比，能够降低接合焊盘与接合线的接触电阻。

基于本发明的第3观点的半导体装置除了基于第2观点的半导体装置的结构，还具有以下特征：所述第1金属膜以及所述第3金属膜由Au形成，所述第2金属膜具有包含至少1种金属材料的层，所述至少1种金属材料是从包含Cu、Ni以及Mo的群选出的。